Qorvo QPD2060D 600 μ m离散GaAs pHEMT的介绍、特性、及应用
时间：2025-04-17 03:37:10
Qorvo QPD2060D 600µm离散GaAs pHEMT(伪晶高电子迁移率晶体管)拥有直流至20GHz的事情频次。QPD2060D通常在P1dB时供应28dBm输入功率，增益为12dB，在1dB收缩时供应55%的功率增添服从。这类功能使得QPD2060D适合于高效率的使用。
QPD2060D接纳0.25 μ m功率的pHEMT出产工艺设想。该工艺拥有进步前辈的手艺，以优化微波功率和服从在高漏偏操纵条件下。
Qorvo QPD2060D GaAs pHEMT供应0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸模。该装配拥有氮化硅维护涂层，拥有高的环境鲁棒性和防刮性。
特点
直流到20GHz的频次局限
28dBm典范输入功率P1dB
12dB典范增益在12GHz
55%典范PAE在12GHz
1.4dB典范噪声因子在12GHz
8 v漏极电压
97毫安漏极电流
0.25 μ m GaAs pHEMT工艺
0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸模
无卤、无铅、吻合RoHS规范
使用步伐
通讯
雷达
点对点无线电
卫星通讯
