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NTHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用

时间:2025-04-12 09:07:09

碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的手艺,与硅相比供应了优胜的开关功能和高可靠性。这类紧凑的芯片巨细的MOSFET被设想成低ON电阻,并确保低电容和栅电荷。NTHL045N065SC1 MOSFET拥有高效率、更快的事情频次、更高的功率密度、更小的电磁滋扰和更小的体系尺寸。典范使用包孕开关模式电源(SMPS),太阳能逆变器,DC-DC转换器,UPS和储能。


特点

  • 低电容高速开关(C(oss)=162pF)

  • 典范R(DS(on))=32m @ V(GS)=18V

  • 典范R(DS(on))=42m @ V(GS)=15V

  • 650V漏源电压(V(DSS))

  • 66A继续漏极电流(I(D)max)

  • 超低门电荷(Q(G(tot))=105nC)

  • 100%雪崩测试

  • 结温高(T(J)小于175℃)

  • 无铅,吻合RoHS规范


使用步伐

  • 开关模式电源(SMPS)

  • 不间断电源(UPS)

  • 直流-直流转换器

  • 太阳能逆变器

  • 动力存储

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