NTHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET的介绍、特性、及应用
时间:2025-04-12 09:07:09
碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的手艺,与硅相比供应了优胜的开关功能和高可靠性。这类紧凑的芯片巨细的MOSFET被设想成低ON电阻,并确保低电容和栅电荷。NTHL045N065SC1 MOSFET拥有高效率、更快的事情频次、更高的功率密度、更小的电磁滋扰和更小的体系尺寸。典范使用包孕开关模式电源(SMPS),太阳能逆变器,DC-DC转换器,UPS和储能。
特点
低电容高速开关(C(oss)=162pF)
典范R(DS(on))=32m @ V(GS)=18V
典范R(DS(on))=42m @ V(GS)=15V
650V漏源电压(V(DSS))
66A继续漏极电流(I(D)max)
超低门电荷(Q(G(tot))=105nC)
100%雪崩测试
结温高(T(J)小于175℃)
无铅,吻合RoHS规范
使用步伐
开关模式电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
直流-直流转换器
太阳能逆变器
动力存储