英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统

【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股分公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出新一代(SiC)沟槽栅手艺，开启功率体系和能量转换的新篇章。与上一代产物相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2手艺在确保品质和可靠性的前提下，将MOSFET的首要功能目标(如能量和电荷储量)提高了20%，不但提升了整体能效，更进一步推动了低碳化历程。

CoolSiC 650v-1200v

CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 手艺连续发扬碳化硅的功能上风，经由过程下降能量消耗来进步功率转换过程当中的服从。这为光伏、储能、直流电动汽车充电、机电驱动和工业电源等功率半导体使用畛域的客户带来了伟大上风。与前几代产物相比，接纳CoolSiC™ G2 的电动汽车直流倏地充电站最高可缩小10%的功率消耗，并且在不影响形状尺寸的情况下完成更高的充电功率。基于CoolSiC™ G2器件的牵引逆变器可进一步增添电动汽车的续航里程。在可再生动力畛域，接纳 CoolSiC™ G2的太阳能逆变器能够在坚持高功率输入的同时完成更小的尺寸，从而下降每瓦本钱。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 博士暗示：“今朝的大趋势是接纳高效的新体式格局来发生、传输和损耗能量。英飞凌凭仗 CoolSiC™ MOSFET G2 将碳化硅的功能晋升到了新的程度。新一代碳化硅手艺使厂商可以或许更快地设想出本钱更低、布局更紧凑、功能更靠得住，且服从更高的体系，在完成节能的同时缩小现场的每瓦二氧化碳排放。这充沛表现了英飞凌保持不懈继续推进工业、花费、汽车畛域的低碳化和数字化的立异。”

英飞凌开创性的CoolSiC™ MOSFET沟槽栅手艺推动了高性能CoolSiC™ G2解决计划的进展，完成了加倍优化的设想抉择，与今朝的SiC 手艺相比，拥有更高的服从和可靠性。连系屡获殊荣的.XT封装手艺，英飞凌以更高的导热性、更优的封装操纵以及更卓越的功能，进一步提升了基于 CoolSiC™ G2 的设想后劲。

英飞凌控制了硅、碳化硅和氮化镓(GaN)畛域的所有的关头功率手艺，可提供灵巧的设想和当先的使用常识，餍足当代设想的等待和需要。在推进低碳化的过程当中，基于(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)资料的立异半导体已成为动力高效应用的关头。