Qorvo®推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块

2024年2月29日，中国北京——环球当先的连贯和电源解决计划供应商Qorvo^®（纳斯达克代码：QRVO）近日发布推出四款接纳紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。此中两款为半桥设置，两款为全桥设置，导通电阻RDS_(on)最低为9.4mΩ。全新的高效率SiC模块异常适宜电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等使用。

Qorvo SiC电源产品线市场总监Ramanan Natarajan暗示：“该全新系列中的模块能够庖代多达四个分立式SiC FET，从而简化热机器设想和装置。咱们的共源共栅手艺还支撑以更高的开关频次运转，经由过程应用更小的内部元件进一步减少解决计划的尺寸。这些模块的高效率特点能够简化电源设想流程，让我们的客户可以或许专一做好繁多模块的设想、结构、组装、特点阐发和认证，无需应答多个分立式元件。”

以9.4mΩ导通电阻的UHB100SC12E1BC3N为代表的这四款SiC模块均接纳Qorvo怪异的共源共栅设置，最大限度地降低了导通电阻和开关消耗，从而可以或许极大地晋升服从，这一上风在软开关使用中尤其显著。此外，银烧结芯片贴装将热阻降至0.23°C/W；与带“SC”的产物型号中的叠层芯片布局相结合，其功率轮回性能比市场同类SiC电源模块凌驾2倍。得益于以上特点，这些高度集成的SiC电源模块不但易于应用，并且拥有卓着的热功能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了Qorvo全新的1200V SiC模块系列：

Qorvo性能壮大的设想对象套件（比方FET-Jet Calculator和QSPICE™ 软件）有助于产物抉择和功能仿真。如需细致懂得无关Qorvo进步前辈的工业使用SiC解决计划，请造访cn.qorvo.com/go/sic。

Qorvo SiC模块系列已在美国加利福尼亚州长滩集会中央进行的国际电力电子使用博览会（APEC）长进行了初次表态。更多信息，请造访页面。