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Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

时间:2024-01-30 17:37:04

全球领先的连接和解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅()场效应(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 中实现业界卓越的 9mΩ RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合、 和正温度系数(PTC)加热器模块等(EV)类应用。

UJ4SC075009B7S 在 25°C 时的典型导通电阻值为 9mΩ,可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程,降低客户的制造成本。全新的 750V 系列产品是对 Qorvo 现有的 1200V 和 1700V D2PAK 封装车用 SiC FET 的补充,打造了完整的产品组合,可满足 400V 和 800V 架构电动汽车的应用需求。

Qorvo 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“这一全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车设计人员提供先进、高效解决方案的承诺,以助力其应对独特的车辆动力挑战。” 这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构配置,将 SiC JFET 与硅基 合并封装,从而制造出具备隙技术效率优势和硅基 MOSFET 简单驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗;得益于业界卓越的低导通电阻和体反向压降,Qorvo 的共源共栅结构/JFET 方式带来了更低的传导损耗。

UJ4SC075009B7S 的主要特性包括:

  • VG(th):4.5V(典型值),允许 0 至 15V 驱动电压
  • 较低的体二极管 VFSD:1.1V
  • 最高工作温度:175°C
  • 出色的反向恢复能力:Qrr=338nC
  • 低栅极电荷:QG=75nC
  • 通过委员会 AEC-Q101 认证
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