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LM5050-1-Q1中文参数_产品特点_原厂出售

时间:2023-10-31 17:49:20

LM5050-1-Q1中文参数_产品特点_原厂出售

锐单 网络 33 2023-10-11 09:01:41

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源,可承受高达 100V 的瞬态电压。


LM5050-1-Q1


LM5050-1-Q1的特性

  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1(高达 150°C TJ)和 LM5050Q1MK-1(高达 125°C TJ
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN:1V 至 75V(VIN < 5V 时需要 VBIAS
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压,可缩短关断时间
  • 封装:SOT-6(薄型 SOT-23-6)

LM5050-1-Q1功能图

LM5050-1-Q1


LM5050-1-Q1规格参数

产品属性 属性值
Vin (min) (V) 5
Vin (max) (V) 75
通道数 1
特性 AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection
智商(类型)(mA) 0.4
Iq (max) (mA) 0.79
TI功能安全类别 Functional Safety-Capable
场效应晶体管 External single FET
栅极源(类型)(µA) 31
栅极源(max)(µA) 41
栅极吸收(类型)(mA) 2.8
IGate脉冲(type) (A) 2.8
工作温度范围(℃) -40 to 150
VSense反向(类型)(mV) -41, -28
设计支持 EVM, Simulation Model
评级 Automotive
Imax (A) 250
VGS (max) (V) 14
关断电流(ISD) (mA) (A) 0.1
设备类型 ORing controller
产品类型 ORing controller
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