TS3DDR3812中文规格_产品特点_原厂出售
时间：2023-10-31 17:44:52
TS3DDR3812
TS3DDR3812中文规格_产品特点_原厂出售
锐单
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26
2023-10-12 11:15:27
TS3DDR3812 是一款专门针对 DDR3 应用而设计的 12 通道，1:2 多路复用器／多路解复用器开关。 该产品采用 3 至 3.6V 电源供电，提供低而平坦的导通状态电阻以及低 I/O 电容，从而可实现 1.675GHz 的典型带宽。
通道 A0 至 A11 分为两个 6 位组，可通过两组名为 SEL1 与 SEL2 的数字输入进行独立控制。 这些选择输入可控制每个 6 位 DDR3 信号源的开关位置，使它们能够准确发送至两个端点中的一个。 此外，本开关还可用于将单个端点与两个 6 位 DDR3 信号源中的一个连接起来。 对于 12 位 DDR3 信号源的开关，只需外部连接 SEL1 与 SEL2，便可通过一个单个 GPIO 输入控制所有 12 个通道。 一个 EN 输入可在不使用时使整个芯片处于高阻抗 (Hi-Z) 状态。
这些特性使 TS3DDR3812 成为存储器、模拟／数字视频、局域网 (LAN) 以及其它高速信号开关应用中的理想选择。
TS3DDR3812的特性
- 与 DDR3 SDRAM 标准 (JESD79-3D) 兼容
- 1.675GHz 的宽带宽
- 低传播延迟（典型值 tpd = 40ps）
- 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
- 低而平坦的导通电阻
（典型值 rON = 8Ω） - 低输入／输出电容
（典型值 CON = 5.6pF） - 低串扰（XTALK = -43dB，
这是在 250MHz 时的典型值） - 3V 至 3.6V 的 VCC工作范围
- 数据 I/O 端口上的轨至轨开关
（0 至 VCC） - 用于上部及下部 6 通道的分离开关控制逻辑
- 专用使能逻辑电路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
- I关闭保护防止断电状态 (VCC = 0V) 下的电流泄漏
- 静电放电 (ESD) 性能测试符合 JESD22 标准
- 2000V 人体模型
（A114B，II 类） - 1000V 充电器件模型 (C101)
- 2000V 人体模型
- 42 引脚 RUA 封装（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球间距）
应用范围
- DDR3 信号开关
- DIMM 模块
- 笔记本／台式机
- 服务器
TS3DDR3812功能图
TS3DDR3812规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 协议 | DDR3 |
| 配置 | 2:1 SPDT |
| 通道数 | 12 |
| 带宽(MHz) | 1675 |
| 电源电压(最大)(V) | 3.6 |
| 电源电压(min) (V) | 3 |
| 罗恩(打字)(mΩ) | 8000 |
| 输入/输出电压(min) (V) | 0 |
| 输入/输出电压(最大)(V) | 3.6 |
| 电源电流(类型)(µA) | 300 |
| ESD HBM(类型)(kV) | 2 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 85 |
| 串音(dB) | -71 |
| ESD CDM(千伏) | 1 |
| 输入/输出连续电流(最大)(mA) | 128 |
| COFF(类型)(pF) | 5.6 |
| CON (type) (pF) | 2 |
| 关闭隔离(类型)(dB) | -42 |
| 关断状态漏电流(最大)(µA) | 1 |
| 传播延迟时间(µs) | 0.00004 |
| 罗恩(最大)(mΩ) | 12000 |
| 罗恩通道匹配(最大)(Ω) | 1 |
| RON平面度(类型)(Ω) | 1.5 |
| 关闭时间(disable) (max) (ns) | 5 |
| 开启时间(enable) (max) (ns) | 7 |
| VIH (min) (V) | 2 |
| VIL (max) (V) | 0.8 |
