ISO5852SQDWRQ1器件是一款用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL），以及2.5A的拉电流能力和5A的灌电流能力，输入端由2.25V至5.5V的单电源供电运行。

输出端允许的电源范围为 15V 至 30V，两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态，76ns 的短暂 传播时间保证了对于输出级的精确控制，该器件可以应用于混合动力汽车 、电动车电源模块 、工业电机控制驱动 、工业电源、太阳能逆变器、感应加热。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源，如果任意一 端电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。 ISO5852S-Q1采用16引脚小外形尺寸集成电路封装，此器件的额定工作环境温度范围为-40°C至+125° C。

产品图片

引脚功能图

功能框图

ISO5852SQDWRQ1是IGBT和MOSFET的隔离栅极驱动器，输入CMOS逻辑和输出功率级被二氧化硅电容隔离，输入侧的IO电路与微控制器接口，由栅极驱动控制和RESET组成输入、就绪和故障报警输出。

功率级由功率晶体管组成，用于提供2.5A的上拉电流和5-A的下拉电流，以驱动外部功率晶体管的电容负载，如以及DESAT检测电路，用于在短路事件下监测IGBT集电极-发射极过电压。这个电容隔离核心由传输电路组成，用于将信号耦合到电容隔离屏障上，以及接收电路，用于将所得到的低摆幅信号转换为CMOS电平。

ISO5852SQDWRQ1还包含欠压锁定电路，以防止对外部IGBT的栅极驱动不足，以及有源输出下拉确保在没有输出电源电压的情况下，将栅极驱动器输出保持在低电平的特性。

产品应用图

电流缓冲器

对于单极电源的操作，通常VCC2相对于GND2连接到15-V，VEE2为连接到GND2，在这种使用情况下，IGBT可能由于IGBT Miller的额外电荷而导通，由IGBT集电极上的高电压转换速率转变引起的电容。

为了防止IGBT导通CLAMP引脚连接到IGBT栅极，米勒电流通过低阻抗CLAMP晶体管下沉，Miller CLAMP专为高达2A的Miller电流而设计，当IGBT关断并且栅极电压转换到2V以下时，CLAMP电流输出被激活。

ISO5852S-Q1器件是一种用于功率半导体器件的隔离栅极驱动器，如IGBT和MOSFET，它适用于电机控制、工业逆变器和开关模式等应用电源，在这些应用中，需要复杂的PWM控制信号来转动功率设备开启和关闭，在系统级别上最终可以确定，例如电机或逆变器的输出电压、频率和相位

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