导读： 恩智浦半导体（NXP）8月15日宣布，推出采用DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench 产品PBSM5240PF。封装占位面积2x2mm2，高度为0.65mm....
恩智浦半导体（NXP）8月15日宣布，推出采用DFN2020-6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF。封装占位面积2x2mm2，高度为0.65mm（见图1和图2所示）。
PBSM5240PF小信号晶体管（BISS）和N沟道Trench MOSFET的主要特性包括：集电极大电流能力（IC和ICM）；集电极大电流下拥有高电流增益（hFE）；集成的将热性能提高了25%，支持2A电流，并降低了能耗；极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。
图1 PBSM5240PF封装示意图（点击放大）
另外，与通常需要两个封装传统的小信号晶体管（BISS）/MOSFET解决方案相比，PBSM5240PF可减少50%以上的电路板占用面积，封装高度降低10%以上。
PBSM5240PF可作为手机等移动设备中充电电路的一部分，也可用于对散热和电流要求高，占位面积小的或电池驱动设备中。
图2 PBSM5240PF封装与欧元1分硬币的比较（点击放大）
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