【导读】半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了新产品-- XP231P02015R（-30V耐压）。 特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET新产品-- XP231P02015R（-30V耐压）。
XP231P02015R（-30V耐压）是具有低导通和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。
封装组件均采用了小型SOT-523(1.6 x 1.6 x h0.9 mm)，推动机器小型化。
▲SOT-523 封装
特点：
| 导通电阻 | RDS(on)＝5Ω@VGS=-4.5V |
|---|---|
| 工作电压 | -2.5V |
| 环保相关 | 对应EU RoHS 指令、无铅 |
