【导读】美国微芯科技公司（ Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in3），从而实现高效、低成本的 -DC 转换。美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的数字信号控制器（DSC）与宜普电源转换公司（EPC）的超高效氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）的结合，可实现最佳功率密度（730 W/in3），从而实现高效、低成本的 DC-DC 转换。
EPC 公司宣布推出 1/16 砖式、300 W DC/DC 稳压器（EPC9143）。
EPC9143 功率模块把 Microchip dsPIC33CK 数字信号控制器（DSC）和最新一代 eGaN FET（EPC2053）集成在一起，实现 25 A、48 V/12 V 和 96％效率的功率转换。 500 kHz 开关频率在非常小的 1/16 砖式实现 300 W 功率，其尺寸仅为 33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9 英寸）。
可扩展的两相设计可以增加相数，从而进一步提高功率。 由于 Microchip 数字控制器具有高灵活性，因此允许在 8 V 至 72 V 范围内调节输入电压，而输出电压在 3.3 V 至 25 V 范围内。
砖式 DC/DC 转换器广泛用于数据中心、电信和汽车应用，可将 48 V 标称电压转换为 12 V 配电总线输出电压。 鉴于给定的外形尺寸，业界的主要是朝着需要更高的功率密度方向发展。
其中一个主要应用，是高密度 48V/12V 负载点（POL）转换器，需要 12V 输出的稳压功率，例如用于通用 PCIe 卡和存储。
eGaN®FET 和具备快速开关、小尺寸和低成本等优势，能够以少元件数量和低成本满足这些前沿应用对功率密度的严格要求。
EPC 首席执行官 Alex Lidow 表示：“先进的计算应用对功率转换器的要求越来越高，但硅基功率转换器在性能方面未能满足这些要求。我们很高兴与这个领域的全球供应商 Microchip 公司合作，为客户提供灵活的解决方案，从而为 48 V 转换提高效率、增加功率密度和降低系统总成本。” Microchip 16 业务部副总裁 Joe Thomsen 表示：“Microchip 的 dsPIC® DSC 可以进行编程以充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。我们很荣幸与 EPC 公司合作，为我们的客户提供这种基于氮化镓器件的参考设计。EPC 的氮化镓技术与我们的 dsPIC33CK 控制器相结合，使工程师能够显着提高功率密度，从而满足各种先进计算和电信应用的苛刻要求。”
