【导读】推出了8款新一代[1]650V超结N沟道“DTMOSVI系列”产品，它们分别是“TK110N65Z”、“TK110Z65Z”、“TK110A65Z”、“TK125V65Z”、“TK155A65Z”、“TK170V65Z”、“TK190A65Z” 和 “TK210V65Z”，其主要应用于数据中心和光伏发功率调节器等工业设备的开关电源，这些产品扩大了封装和导通方面的产品线。
东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”" width="544" height="306">
新一代DTMOSVI系列与上一代DTMOSIV-H系列相比，降低了“漏极-源极导通电阻x栅极-漏极电荷”（品质因数）的值约为40%，使开关电源的效率提高了约0.36%[2]。 东芝将通过继续扩大其产品线以满足市场发展，从而帮助提高电源效率。
注：
[1] 截止2020年3月，东芝调研。
[2] 截止2020年3月东芝的测量值（通过使用输出功率为2500 W的PFC电路来对比新产品系列中的TK040N65Z与传统产品系列中的TK62N60X）
特性
● “漏源导通电阻x栅极-漏极电荷”的值—— 降低约40 %[3]以提高开关电源的效率。
注： [3] 与传统DTMOSIV-H系列比较
应用
工业设备的开关电源
● 数据中心（服务器电源等）
● 光伏发电机的功率调节器
● 不间断电源系统 产品规格
注： [4] DTMOSIV系列 内部电路
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。 需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。 提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
特性比较[1]
注： [5] 测量数据的平均值
