在汽车动力总成中的和执行器控制领域，基于 的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用 MOSFET 的重复雪崩能力来泄放在其关断期间来自感性负载电流的能量。这种设计与主动钳位方案的效率相当，能够消除对于二极管和其他器件的需求，从而最大程度地减少器件数量并降低电路复杂性。这种设计还能支持更快的关断时间，进而提高电磁阀和继电器等机电器件的可靠性。通常来讲，这种设计只能使用基于陈旧平面技术的器件。(半导体)汽车重复雪崩 ASFET 产品系列专为解决此问题而开发，能够提供经过十亿个周期测试的可靠重复雪崩功能。此外，与升压拓扑相比，这一产品系列可以减少多达15个板载器件，将器件管脚尺寸效率提高多达30%，从而简化设计。
新的 MOSFET 在 175℃ 时完全符合 AEC-Q101 汽车标准，提供 40 V 和 60 V 选项，典型 RDS() 额定值为 12.5mΩ 至 55mΩ。所有器件均采用公司节省空间的 LFPAK56D(双通道 -SO8)铜夹片封装技术。该封装坚固可靠，配备鸥翼引脚，实现出色的板级可靠性，并兼容自动光学检查(AOI)，提供出色的可制造性。
Nexperia(安世半导体)产品经理 Richard Ogden 解释说：
通常，希望实现重复雪崩拓扑的工程师不得不依赖基于陈旧平面半导体技术的器件。通过在更高性能硅结构的基础上，提供具有可靠重复雪崩功能的汽车级器件，就能增加利用其功能优势而设计的动力总成数量。
Nexperia(安世半导体)于 2020 年初推出了专用 FET (ASFET)系列，旨在满足业界对于最大化性能的需求。ASFET 的 MOSFET 参数针对特定应用进行了优化。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。其他 ASFET 系列适用于热插拔、以太网供电(PoE)、保护和控制应用。
