图示1-大联大诠鼎基于Innoscience产品的高效超薄型200W 电源方案的展示板图
随着人们对灯具品质的要求越来越高，传统的已经无法满足小而薄的灯具设计。并且由于LED需要长期在狭小空间内工作，因此散热性也是一个严重制约应用安全的问题。在这种情况下，将高频高效的氮化镓应用于LED驱动电源上，借助氮化镓高频、高转换效率、高击穿电压等特性，可以有效缩小产品体积并减少发热情况，是高端灯具的理想选择。由大联大诠鼎基于Innoscience INN650D01场效应晶体管推出的高效超薄型200W LED驱动电源方案能够满足LED小型化设计的同时，提供高效的电源转换能力。
图示2-大联大诠鼎基于Innoscience产品的高效超薄型200W LED驱动电源方案的场景应用图
本方案采用超薄设计，其内置Innoscience的高频高效功率管INN650D01+INN650D02，采用PFC+LLC+SR架构，具有可达35W/in³的高功率密度，峰值效率达96%。借助此方案可大大提升LED的照明效率，减小产品体积，非常适用于对空间限制有严苛要求的应用。
英诺赛科（Innoscience）是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用I（Integrated Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si量产线。公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成，公司的目标是以更低的价格，向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件，并且实现GaN技术在市场的广泛应用。在本方案中采用的INN650D01是公司旗下的增强型氮化镓场效应晶体管，具有高频高功率的特性。
图示3-大联大诠鼎基于Innoscience产品的高效超薄型200W LED驱动电源方案的方块图
在以氮化镓为首的第三代半导体材料应用越来越广泛的今天，大联大诠鼎携手氮化镓器件制造专家Innoscience联手推出的200W LED驱动电源方案将先进的氮化镓技术应用其中，能够在提高电源效率的同时，显著缩小LED灯具的体积，降低散热需求，满足市场对于大功率、轻薄型LED灯具设计需求。
核心技术优势：
INN650D01
● Vds最大650V；
● Rds最大130mΩ；
● Qg典型值0.9nC；
● Ids最大34A；
● Qoss典型值26nC；
● Qrr典型值0nC。
方案规格：
● 输入电压：Vac180-264V；
● 输入电压频率：50Hz；
● 输出电压：48V（恒流输出（4.2A））；
● 输出最大功率：200W；
● 输出电压纹波：＜500mV；
● 最高效率：96%；
● 板长宽厚196*35*13mm。
