以IX0308CE厚膜电路为例,介绍用分立元件仿制方法,仿制的关键在于元器件的严格选用。VD1、VD2、VD3均选用反向耐压大于500V的
。如1N4005~1N4007。VS1系稳压值为6.8V的
,可选用HH26.8、RD6.8E、1N754等。VS2可采用5.2V的
稳压二极管,如RD5.lE、HzSC2、1N751等。VS3可选用2.4~3.2V的稳压二极管,如H22.4E等,
Cl可在100~510pF范围内选择。电路中所有
均选用0.25W
,具体阻值按图中所标选择。中、小功率
晶体管VT1~VT4均选用塑封管,以缩小电路体积。VT1系NPN小功率管,可用2SC1815、2SC954等;VT2系PNP小功率管,可用2SA1015、2SA608、2SA733等;VT3和VT4系中功率NPN管,其中VT3可用2SC8085或2SC1008,VT4可用2SC945、2SC1846或2SC2062;VT5
开关调整管,可用PCM≥50W。ICm≥3A、TR与TF均小于1μs、BVCBO=800V、BVCBO≥1500V的金属或塑封大功率
晶体管,如BU508A、BU208、2SC1942、ZSD820等。
调试时,在115V电压输出端与地之间接入一只功率为60W、阻值为300~350Q的电阻作假负载,调电阻R2使假负载上电压达到规定值115V即可,然后除掉假负载,上机调试。
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