2020_12模电框架文章-晶体管

模具电源在做什么？事实上，这是一个值得思考的问题。让我们来看看目录、介绍、运输、二极管及其基本电路、场效应管及其放大电路、双极结三极管及其放大电路、频率响应、模拟集成电路、反馈放大电路、功率放大电路、信号处理和信号生成电路、直流稳压电源

对这些东西进行分类，即绪论、运放，构成大局观，思考模电课程放大的起源

再学习三个元件，是不同于电路理论的三个元件（RLC），但二极管、场效应管和双极结三极管最大的区别是非线性(实际上CL时域也是非线性的，所以叫中频分析)。既然是非线性的，那么很多电路理论的技巧就不能用了。怎么计算？所以有几种操作方法，第一种是绝对的KCL，KVL，V-I函数关系联立解，当然可以解决，但是，不容易计算，什么指数关系啊权力关系啊分段函数都包括在一起，如果复杂的耦合更秃，第二种是绝对的图形方法，但很难准确得到一个Ui变化确定的Uo函数关系，那怎么办？因此，产生了第三种方法，即本质上的小信号分析方法。函数太复杂了，不容易计算，对吧？然后我会找到它的静态工作点，然后放线性关系。

然后这个问题就分为两个，找静态工作点和动态等效。通过绝对的静态工作点可以找到静态工作点的方法KCL，KVL，V-I函数关系是联立解决的，由于闲置麻烦，可以使用一些近似简化，如近似BJT的UBEQ=0.7V，这些都是可以的，这种方法一般都是用来做题的。但是，这显然是不准确的，所以也可以用图解法来做。图解法本质上是串联的UI图中关系的交点是工作点，重点是串联。Mos输入得到UBEQ很容易确定，所以只需要画输出图，对BJT输入和输出图都要画。

好了，我们来看看他们的具体放大电路。首先先思考BJT和MOS的本质，BJT是靠由UBE电压控制的IB电流来控制IC/IE电流，过电流RC/RE输出电压的变化，MOS是靠UGS控制场，控制场ID/IS电流，过电流RC/RE显示输出电压的变化。所以输入必须在be/gs上，输出必须在ce/ds，所以有这些组态。

因此，这些组对应于相应的性质。首先，对场效应管、共源放大电路电压增益高，输入输出电压相反，输入电阻大，输出电阻主要由Rd决定共泄漏极放大电路电压增益小于1但接近1，输入输出电压相同，具有电压跟踪器、输入电阻高、输出电阻低、阻抗变换、共格栅级放大电路电压增益高、输入输出电压相同，电流增益小于1但接近1，具有电流跟，输入电阻小，输出电阻主要由Rd常用于高频和宽带放大。齐次，对BJT，共射级放大电路电压增加高，输入输出电压相反，输入电阻大，输出电阻主要由Re共集电极放大电路电压增益小于1但接近1，输入输出电压相同，具有电压跟随器功能，输入电阻高，输出电阻不一定低，但仍相对较低，可作为阻抗变换，共格栅级放大电路电压增加高，输入输出电压相同，电流增加小于1但接近1，电流跟随，输入电阻小，输出电阻主要由Re常用于高频和宽带放大。

可见，MOS和BJT电路的性质基本相同。为什么会发生这种情况？路结构和相似性的原因。β/rbe很大，gm=2Kn（UGSQ-UTN）也很大，所以哪个ib相对而言，它可以被忽略，因为无论信号源内阻如何，rbe的影响也无了。这样子它们的结构就近乎相同了。

多级串联是一个接一个，只需要注意共射共基输入电阻与负载无关，输出电阻与信号源内阻无关，但共集不是，输入电阻与信号源内阻有关，输出电阻与信号源内阻有关，BJT同理

到目前为止，我们都称之为中频放大。为什么叫中频放大？电容短路是短路，断路是断路，不需要考虑频率的影响，但事实并非如此，所以需要分析，低频分析相对简单，主要针对电路耦合电容、旁路电容（换句话说，只需要考虑直流电源电容，为了帮助静态和动态分离电容现在麻烦），对于高频分析，需要考虑极间电容，共射/共基对BJT来说主要是Cb’e和Cb’c，考虑到密勒电容器的等效性，跨接电容器Cb’c等效成输入输出两个电容，输入乘上A0 1倍，输出乘以1倍。对Mos来说也是一样。对Mos也是如此。对于共栅/共基，没有密勒电容效应fH高。对于共漏/共集，Cb‘e和rb’e两端产生密勒效应，但由于Av~1密勒效应很小，fH也高

如果简化多级电路的频率响应，那就是fH取最小值，fL取最大值

到目前为止，这些基本的晶体管放大电路已经结束。从结构到电路到性质到频率响应，它仍然非常、非常清晰。然后让我们看看目录，看看模拟电路，有模拟集成电路，反馈放大电路，功率放大电路，信号处理和信号生成电路，直流稳压电源。等我有时间再写一遍。