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基于单片机的温度压强仿真设计(#0016)

时间:2022-11-11 05:00:00 压强传感器芯片

功能描述

1.主控单元芯片采用51单片机;

2、采用DS18B20温度传感器检测环境温度;

3、采用LCD1602作为显示器件,显示检测温度、气压;

4、利用MPX4115气压传感器检测大气压强度;

5、采用ADC模数转换处理0832芯片;

仿真设计

采用Proteus作为模拟设计工具。Proteus是一个名字EDA工具(仿真软件)从原理图布图、代码调试到单片机与外围电路协同仿真,一键切换PCB从概念到产品了从概念到产品的完整设计。

单片机管脚说明:

P0端口(P0.0-P0.7):P0口为8位漏极开路双向I/O每个引脚可吸收8TTL门电流。当P第一次写1口管脚时,定义为高阻输入。P0可用于外部程序数据存储器,可定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时,P0 口作为原码输入口,当FIASH校验时,P0输出原码,此时P外部必须被拉高。

P1端口(P1.0-P1.7):P1口是提供内部上拉电阻的8位双向I/O口,P1口缓冲器接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后,内部上拉为高电平,可作为输入,P由于内部上拉,1口被外部下拉为低电平时输出电流。FLASH编程和校准时,P第八位地址接收1口。

P2端口(P2.0-P2.7):P两口为8位双向双向,内部上拉电阻I/O口,P2口缓冲器可接收,输出4个TTL门电流,当P当两口被写为1时,管脚被内部上拉电阻拉高,并作为输入。因此,作为输入,P2口管脚被外部拉下,输出电流。这是因为内部上拉。P存取外部程序存储器或16位地址外部数据存储器时,2口,P二口输出地址高八位。当给出地址1时,它利用内部上拉优势,读写外部八位地址数据存储器,P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。

P3端口(P3.0-P3.7):P三口管脚是一个双向的,具有内部上拉电阻I/O端口可接收输出4个TTL门电流。当P三口写入1后,被内拉成高电平,用作输入。作为输入端,由于外部下拉为低电平,P三口输出电流(ILL)。P三口同时接收一些闪烁编程和编程验证的控制信号。

VCC(40):供电电压为5V。
GND(20):接地。

RST(9):复位输入。当振荡器运行时,当引脚出现两个以上机器周期(24个振荡周期)时,单片机将被复位。只要引脚保持高电平,51芯片就会循环复位。复位后P3.0-P3.7口均置1,引脚电平高,程序计数器和特殊功能寄存器SFR全部清零。当复位脚由高电平变为低电平时,芯片是ROM的00H开始操作程序。内部不会进行复位操作RAM有所影响。

ALE/PROG (30):当访问外部存储器时,地址定允许的输出电平用于锁定地址的低位字节。在FLASH该引脚用于输入编程脉冲。在平时,ALE端以不变频率周期输出正脉冲信号,是振荡器频率的1/6。因此,它可以用作外部输出的脉冲或定目的。但需要注意的是,每当用作外部数据存储器时,它就会跳过一个ALE脉冲。如果想禁止ALE的输出可在SFR8EH地址上置0。此时, ALE只有在执行MOVX,MOVC指令是ALE才起作用。此外,引脚略微拉高。如果微处理器在外部执行ALE如果禁止,无效。

PSEN(29):外部程序存储器的选择信号。在外部程序存储器的指令期间,每个机器周期为两次PSEN但在访问外部数据存储器时,这两次是有效的PSEN信号不会出现。

XTAL1(19):输入反向振荡放大器和内部时钟工作电路。
XTAL2(18):反向振荡器输出。

EA/VPP(31):当EA在此期间,外部程序存储器(00000H-FFFFH),无论是否有内部程序存储器。注意加密1,EA锁定内部RESET;当EA当端部保持高电平时,内部程序存储器。FLASH该引脚也用于编程期间的12V的编程电源(VPP)。

主程序设计

void main()   //主函数 {  InitLcd();    while(1)     //进入循环   {    KEY_SCAN();  getdata=Adc0832(0);           temp=getdata/2-5;  if( temp >  Xintiao_H )  {    speaker = 0;  }  else  {   speaker = 1;  }  temp = 0;   if( KEY_Set_TIMES == 0 )   {   if( KEY_TIMES == 1 )   {       getdata=Adc0832(0);     if(14

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