量子阱霍尔传感器

合成分子束外延技术半导体膜，形成窄带间隙半导体插入两种宽带间隙材料，形成高迁移率三角形量子陷阱通道。量子陷阱将偏置电流的电子限制在二维电子气体中，从而检测到电子的霍尔效应以更可控的方式磁场散射较少。

令人兴奋的是，与普通霍尔传感器相比，宽（线性）工作范围允许更大的测量灵敏度，低温系数显著降低了底部噪声，稳定地保持了高线性精度输出，有源元件的有效面积较小。独特的量子陷阱结构使霍尔传感器具有传统硅霍尔传感器所没有的高灵敏度（160V/AT）抗辐射能力(-1000℃-200℃工作）。