NPN型三极管， PNP型三极管

三极管的电流放大
1)三极管放大的外部条件:外部电源的极性应使发射结处于正偏置状态，而集电结处于反偏置状态。
2)电流分配规律 Ie=Ic Ib
3)三极管电流放大的实质是以基极电流IB集电极电流的微小变化控制IC变化很大。

1. 非门
   
2. 与门
   
3. 与非门
   

结型场效应管JFET(均为耗尽型)
金属半导体氧化物的场效应 MOSFET(增强型和耗尽型)，增强型沟用虚线表示

理解：

1. 第一要注意的是，S极与沟道相连，然后N型是箭头向内指。
2. 第三种画最多，要注意，PMOS，箭头输入的地方是源极
3. 寄生二极管的方向与电流方向相反，因为MOS管道通过沟道导电，而不是寄生二极管，所以方向需要相反。
4. 所有的箭头都是从P到N，所以N型半导体，NPN，沟道是N, 所以指向沟的箭头向内。如果是指向源极N, 很明显，箭头指向源极N

参考链接：https://blog.csdn.net/eibo51/article/details/55251781?utm_medium=distribute.pc_aggpage_search_result.none-task-blog-2_allfirst_rank_v2~rank_v25-1-55251781.nonecase&utm_term=mos管电路符号

1. id是与Vgs和Vds所有这些都是相关的，所以当我们研究转移特性和输出特性时，我们需要将另一个置为常量。
2. 看输出特性，我们只能发现Vd>Vgs-Vth时，MOS只有这样，管道才能达到饱和状态，否则它只会工作放大。

参考链接：https://cloud.tencent.com/developer/article/1529398

注意两个MOS管道的漏极没有过孔，所以两个MOS管就是串联，有过孔就是并联

接VDD的就是PMOSS极，漏极通过孔连接在一起，所以有两个PMOS并联。接GND的是NMOS只有一个S极NMOS接地，然后另一个没有过孔，所以是串联的。事实上，并联过孔主要是由于连接到out，所以需要过孔。

参考链接：https://www.shangmayuan.com/a/85f2759078634796af2a420e.html

非门

与非门

或非门

与门
与非门 非门
或门
或非门 非门

1. 为什么不用MOS管直接构成and or 相反，门是由和非或非、再取非组成的。
   答:因为和门电路通过两个NMOS管串联获得，即通过NMOS管道传输高电平会带来一个问题，即源极电压升高，导致管道传输高电平Vgs减小，使得MOS管截止。

参考链接：
https://blog.csdn.net/qq_43042339/article/details/104160805