肖特基二极管和快恢复二极管区别
时间：2022-10-31 02:30:01
长期以来，我对二极管了解不透彻。今天我在画原理图，顺便了解了肖特基二极管和快速恢复二极管的区别，供大家参考。
1.肖特基二极管
SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBDP型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD又称金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，是一种热载流子二极管。
贵金属(金、银、铝、铂等)是肖特基二极管A金属-半导体器件是以N型半导体B为负极，由两者接触面形成的势垒具有整流特性而成。由于N型半导体中有大量的电子，贵金属中只有少量的自由电子，电子从高浓度B扩散到低浓度A。显然，金属A中没有空穴，也没有从A向的空穴B扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性受损，形成势垒，其电场方向为B→A。但在电场的作用下，A也会从中产生电子A→B漂移消弱了扩散运动形成的电场。建立一定宽度时空间电荷区之后，电场引起的电子漂移和浓度不同引起的电子扩散达到相对平衡，形成了肖特基势垒。
其主要特点是正压降低(0.3V至0.6V）；此外，多子参与导电，反应速度比少子器件快。但其反向耐压值较低，一般不超过100V。因此，适合在低压、大电流条件下工作。利用低压降的特点，可以提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率 。
二、二极管快速恢复
快速恢复二极管(简称FRD）它具有良好的开关特性，反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要用于开关电源，PWM脉宽调制器，变频器用作高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管等电子电路。快速恢复二极管的内部结构和普通PN结二极管不同，属于PIN结P型硅材料和N型硅材料之间增加了结型二极管I，构成PIN硅片。由于基区薄，反向恢复电荷小，二极管反向恢复时间短，正向压降低，反向击穿电压(耐压值)高。
其正向压降高于普通二极管(1-2)V），反向耐压多为12000V下面。性能可分为快速恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者低于100纳秒。
这两种管道通常用于开关电源。肖特基二极管与快速恢复二极管的区别：前者的恢复时间约为后者的100倍，前者的反向恢复时间约为几纳秒！
