自举驱动、top开关电源、光耦拾遗

首先；辅助电源在HVIC在根前设置一个较大的电容器，以应对自举电容器的冲击HVIC驱动功率管时；必须对大驱动电流产生冲击。这个电容器通常是自举电容器的1~5倍。
第二；自举电容在满足供电下限后，并非越大越好。通常根据用途的不同0.1~10uF，一般很少超过22uF的。
第三，自举二极管需要快速软恢复，耐压性不小于DCBUS Vcc一般；在AC推荐220供电系统US1J、US1M、STTH106、STTH110、BYV26C等等。因为这个级别的管道电流很大，可以满足自举电容的冲击。

可使用相对较低的工作电压US1B、BAV21等等

TOPswitch II线性控制转换器是一种自偏置、自保护的电流占空比。由于采用CMOS 与采用双集成电路和分立元件相比，偏置电流大大降低，节省了用于电流传导和提供启动偏置电流的外部电阻。同时，设备对电路板布局和输入总线瞬变的敏感性大大降低，设计更加方便，性能提高。 我们只关注这四点:

<1>控制电压：控制极的电压Vc给控制器和驱动器供电或提供偏压。外部旁路电容器连接到控制极和源极之间CT，为栅极提供驱动电流，并设置自动恢复时间和控制环路补偿。反馈控制电流在正常工作（输出电压稳定）Vc并联稳压器供电Vc保持在4.7V。启动时，控制极的电流由高压开关电流源提供，内部连接到漏极和控制极之间。控制极电容CT当放电低于阈值电压时，输出MOSFET截止日期，控制电路处于备用模式。此时，高压电流源连接并再次给电容CT充电。通过高压电流源的连接和断开Vc保持在4.7～5.7V之间。

<2>栅极驱动器：栅极驱动器以一定的速率输出MOSFET导通。为了提高精度，栅极驱动电流也可以逐周微调限流。输出每周限流电路MOSFET限流比较器将导通电阻作为取样电阻MOSFET泄漏电压和阈值电压VILIMIT进行比较。漏极电流过大时，漏源电压超过阈值电压，输出MOSFET关断。输出直到下一个周期MOSFET才能导通。

<3>过热保护:当结温超过热关温度(135℃)当模拟电路关闭输出时MOSFET。(TOP225～TOP227采用TO-和TOP221～TOP224则有TO-220和DIP 8、SMD 83种包装形式。这两种包装形式的装置输出功率应适当降低。

<4> 具体比较：TOP223与TOP224的基本参数与封装类型都相同，而在输出功率上TOP223拟定为50/25，30/15TOP 224拟定为75/30，45/20相差较大。




光耦817与521能否够互换
发表时间：2013-6-6 17:49:00
这里要说的是，它们都是线性光耦合器，参数基本相同，性能基本相同，只要原电路设计合理，就可以完全交换（至于极限参数，所以设计有问题）。
就速度而言TLP521要比PC817快得多，TLP521可以完全替代PC817，后者不能完全替代TLP521；但对于一些要求不严格的消费电源，以及一些智能电表，这两个光耦都是一样的。
比较TLP521、PC817、PS2501、K事实上，1010等光耦可以在性能上互换，其中K1010最便宜，翻新货也比较少。
另外，推荐光电耦合器BPC817，BPC817系列光耦包括直插式包装和贴片包装。它具有更好的性能和价格比UL认证,TUV认证,VDE认证； 可用于替换TLP521,PS2501,PC817,K1010等普通光偶