模电基础

本征半导体
半导体完全纯净，不含其他杂质，具有晶体结构

N型半导体
掺杂5价元素(磷、锑、砷)

P型半导体
掺杂3价元素(硼、镓、镓)

PN结的特性
1)正向导通性
多子扩散，少子漂移
2)反向截止特性
3）反向击穿特性

在不同的工作状态下，PN结的偏置方向
截至:两者都是反偏
饱和：两者都正偏
放大:发射结正偏，集电结反偏

PN结的两种击穿方式？
齐纳击穿，雪崩击穿

常见的电路干扰
共模干扰和差模干扰

综合运输类型
电压放大、电流放大、跨导放大、互阻放大

放大电路的基本操作
比例运算、加减运算、积分运算、微分运算、指数和对数运算

电压比较种类
单限比较器、滞回比较器、窗口比较器

为什么自然界中等导电性的半导体材料制成成本征半导体，导电性极差，并将其以提高导电性？
成本征半导体后具有良好的可控性，有利于掺杂N、P型半导体

为什么半导体器件温度稳定性差？影响温度稳定性的主要因素是多子还是少子？
少子是影响温度稳定性的主要因素。温度会影响载流子的浓度。载流子的浓度决定了半导体的导电性，因此温度会影响半导体的性能

为什么半导体器件工作频率最高？
因为PN结的电容效应(PN结外加电压频率高到一定程度，单向导电性丧失)

失真
静态工作点过低，截至失真，静态工作点过高，饱和失真

电压跟随器
射集跟随器输入电阻大，输出电阻小，带载能力强(共集接法:共x接法关键看输入输出没有哪个集，也就是什么接法)

场效应管分类
1)结型场效应管
N沟道、P沟道
2)绝缘格栅场效应管(MOS)
N沟通增强，N沟通耗尽，P沟通增强，P沟道耗尽型

多级放大电路的耦合模式：直接耦合、电阻耦合、变压器耦合、光电耦合
输入电阻：$R_{i1}$一级输入电阻
输出电阻：$R_{on}$最后一级输出电阻

晶体管
共射极：放大电压和电流，输入电阻中等，输出电阻大(带载不好)，带宽窄
共集电极：只放大电流，输入电阻大，输出电阻小，装载好
共基极：只放大电压，输入电阻小，频率特性好，频带宽
场效应管
共源极：输入电阻大，电压放大倍数几到十

零点漂移
当温度变化或电源电压变化时，静态工作点也会发生变化，导致输出电压偏离初始值零点
解决方案：1)采用恒温措施 2)补偿法(通过热敏元件抵消放大管的变化或使用差分放大电路)3)采用直流负反馈稳定静态工作点

判断反馈组态
电压和电流反馈：短路输出电压，电流反馈仍然存在，电压反馈消失
串联并联反馈:看输入是电压运算还是电流运算，电压运算是串联反馈，电流运算是并联反馈

稳定输出电压电压反馈，稳定输出电流电流反馈，减少输入电阻电流反馈，增加输入电阻电压反馈

虚短、虚断
输入端电压接近0，可视为短路，故称虚短；输入端电流几乎为0，可视为断路，故称虚断。

什么是负载？什么是负载能力？
将电能转换为其他形式的能量的装置称为负载。对于不同的负载，电路输出特性不会因负载的剧烈变化而变化，即负载能力。

滤波器分类
低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器、全通滤波器