N沟道和P沟道MOS管的四个不同点

作者：快捷芯（功率半导体创新品牌）

1.芯片材料不同

虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS电流通道通过电子形成；P沟道MOS管道以空穴流为载流子。具体原理可参考一些教科书，属于工艺问题。

2、同等参数P沟道MOS管价格更高

（1）N沟道MOS管芯片的成本低于P沟。

N沟道MOS当管道通过电子形成电流通道时，MOS当管道被激活和导通时，电子通过电流移动，速度比P快MOS管速度快。在相同的RDS(on)在这种情况下，载流子的迁移率约为P沟MOS要实现相同的电流，管道的2到3倍，P沟通芯片的尺寸应设计为N沟MOS管的2-3倍大。因此，从制造成本来看，N沟道MOS管道应低于P沟MOS管。因此，N沟通通常是大电流应用的首选MOS管。

例如，快捷芯的N沟通MOS管，KJ400N03D7，采用TO263-7包装，实现行业内最低内阻，RDS(ON)仅0.28mΩ，但可实现ID=400A的大电流。

(2)N沟量产成本较低。

由于N沟道MOS管道的优势使其成为首选，能够大规模生产和应用，大规模生产后产品的价格更具优势。

（3）价格竞争更激烈。

N沟道MOS管型参数发展充分，各品牌竞争激烈，价格更加透明。

（4）P沟通的意义

既生N何生P？P沟道MOS为什么管道还存在？

P沟道MOS管道以空穴流为载流子，迁移率小于N沟MOS管道中的电子流。P沟道MOS管道需要从栅极到源极的负电压(VGS)N沟可以导通MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管道成为高边开关的理想设备。有助于简化电路设计，减少体积，实现低压驱动。因为它可以简化栅极驱动技术，在某些使用场景中，它可以降低整体成本。

虽然所有P沟产品都很贵，但它们可以简化电路设计，有利于实现功能，降低整体成本。

3、应用不同

N管:当一个MOS当负载连接到干线电压时，管接地MOS管道构成低压侧开关。此时需要N沟MOS由于关闭或导通设备所需的电压，管道。

P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS考虑到电压驱动，管道。

4.使用时识别标志不同

实际应用时，MOS管包括：N管、P双N管，双P管，N P管。

识别方法包括：

(1)型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数，一般奇数为P管，偶数为N管，如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。

(2)规格书标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。

(3)电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P相反，如果有多个栅极，则需要注意每个箭头的方向。

(4)规格书VDS正负不同，N或双正数N，P或双负数P，一正一负为N P

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