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EMI整改经验小结

时间:2023-09-18 14:07:02 二极管影响emi

开关电源EMI 在整改过程中,不同频段的干扰原因和抑制措施:

1MHZ 内部以差模干扰为主

1.增大X 电容量;
2.添加差模电感;
3.可采用小功率电源PI 类型滤波器处理(建议变压器附近的电解电容器
选择更大的)。

1MHZ—5MHZ—差模共模混合,采用输入端并联一系列X 电容过滤差触干扰,分析哪种干扰超标并解决,
1.过度调整差模干扰X 加差模电感器,调差模电感器
量;
2.对于共模干扰超标,可添加共模电感,选择合理的电感来抑制;
3.一对快速二极管也可以改变整流二极管的特性FR107 一对普
通整流二极管1N4007。

5M—以上主要是共触干扰,采用抑制共触的方法。对于外壳接地,用磁环绕地线2-3 圈会对10MHZ 上述干扰具有较大的衰减作用;可选用铁芯粘铜箔,靠近变压器, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

对于20–30MHZ,
1.对于一类产品,可以调整对地Y2 电容量或变化Y2 电容位置;
2.调整一、二次侧间Y1 电容位置及参数值;
3.将铜箔包裹在变压器外;变压器最内层增加屏蔽层;调整变压器各绕组
组的排布。
4.改变PCB LAYOUT;
5.在输出线前连接一个双线并绕的小共模电感;
6.输出整流管两端并联RC 调整合理的参数;
7.在变压器和MOSFET 之间加BEAD CORE;
8.在变压器输入电压脚上加一个小电容器。
9. 可以用增大MOS 驱动电阻.

30—50MHZ 普遍是MOS 管道高速开关关断,
1.可用于增加MOS 驱动电阻;
2.RCD 1.缓冲电路N4007 慢管;
3.VCC 供电电压用1N4007 慢管解决;
4.或者输出线前端串联一个双线并绕的小共模电感;
5.在MOSFET 的D-S 脚并联小吸收电路;
6.在变压器和MOSFET 之间加BEAD CORE;
7.在变压器输入电压脚上加一个小电容器;
8.PCB 心LAYOUT 大电解电容,变压器,MOS 构成的电路环尽可能
能的小;
9.变压器,输出二极管,输出由平波电解电容组成的电路环尽可能小。

50—100MHZ 一般由输出整流管反向恢复电流引起,
1.磁珠可串在整流管上;
2.调整输出整流管的吸收电路参数;
3.Y电容支路的阻抗可以改变一、二次侧跨接,如PIN脚处加BEAD CORE
或串接适当的电阻;
4.也可改变MOSFET,输出整流二极管本体向空间辐射(如铁夹)
卡MOSFET; 铁夹卡DIODE,改变散热器的接地点)。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
200MHZ 上述开关电源的基本辐射量很小,通常可以通过EMI 标准。

补充说明:
开关电源高频变压器一般是第一次之间的屏蔽层,以上没有装饰.
开关电源是高频产品,PCB 组件布局正确EMI.,请密切关注这一点.
如果开关电源有机械外壳,外壳的结构对辐射影响很大.请密切注意
此点.
不同厂家的主开关管和主二极管参数有一定的差异EMC 有一
定的影响.请密切关注这一点.

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