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RC吸收和单C吸收对模式VDS和后级肖特基二极管的影响?

时间:2023-09-18 12:07:03 二极管影响emi

主输出开关电源RC对开关管道进行吸收电路和单C吸收电路VDS波形状况

RC吸收

单C吸收

两个电路的测试开关管VDS波形

图1 VDS=580-600V

图2 VDS=520V左右,

现在不知道图2的吸收电路是怎么消耗热能的,图2的电路是在一个成品上看别人用的。

图1确实是许多开源用法。

问:

从VDS在波形方面,第二种优于第一种, 从主输出波形来看,第二个峰值高30V现在问题是,可以改为第二种用法吗?

答:主要是效率和效率EMI的影响了。

后极一般超快恢复或肖特基整流管.

后面高了.续流二极管的耐压性和输出电容的耐压性是什么?

指整流关的耐压性,也应影响输出电容.

答:

RC如何设置吸收是阻尼吸收?RC参数,论坛做了很多讨论,我之前的帖子,你可以去看看,注意欠阻尼和过阻尼,因为EMI这个参数的设置和效率都会受到影响。

C吸收应视为一个简单的储能元件,利用电容器两端的电压不能突变来抑制突变的尖峰电压。

至于那种吸收对VDS您可以在同一电源上捕捉二次整流二极管的波形MOSFET的VDS波形波形,你就会明白发生了什么事

问:

单从功耗来看,加了R,能量消耗低效?

答:

理论上,这种电阻起到阻尼作用,需要能量消耗

但从整个电源系统来看,效率并不一定会降低,因为它抑制了振荡,其他部件的损较小,所以在大多数情况下都会增加RC吸收

答:这个要看RC如果值合适,可以敲掉吸收电压的漏感峰值

答:这就是初级MOS只是RCD的电容够大,MOS尖峰也可以消除,但电阻很热。很多时候,它是折叠的,比如效率和EMI,铁损和铜损。

答:MOS的Vds在最初的设计中,应考虑二级肖特基的耐压性,以免在实际测试中花费大量精力。

答:反激开关电源有这种现象电源上。图2将与图1进行比较,图2将对初级侧进行比较MOS上的Vds压力相对较低,但二次侧整流二极管上的反向电压会变高,就像翘曲板一样。

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