RC吸收和单C吸收对模式VDS和后级肖特基二极管的影响？

主输出开关电源RC对开关管道进行吸收电路和单C吸收电路VDS波形状况

RC吸收

单C吸收

两个电路的测试开关管VDS波形

图1 VDS=580-600V

图2 VDS=520V左右，

现在不知道图2的吸收电路是怎么消耗热能的，图2的电路是在一个成品上看别人用的。

图1确实是许多开源用法。

问：

从VDS在波形方面，第二种优于第一种， 从主输出波形来看，第二个峰值高30V现在问题是，可以改为第二种用法吗？

答:主要是效率和效率EMI的影响了。

后极一般超快恢复或肖特基整流管.

后面高了.续流二极管的耐压性和输出电容的耐压性是什么？

指整流关的耐压性，也应影响输出电容.

答：

RC如何设置吸收是阻尼吸收？RC参数，论坛做了很多讨论，我之前的帖子，你可以去看看，注意欠阻尼和过阻尼，因为EMI这个参数的设置和效率都会受到影响。

C吸收应视为一个简单的储能元件，利用电容器两端的电压不能突变来抑制突变的尖峰电压。

至于那种吸收对VDS您可以在同一电源上捕捉二次整流二极管的波形MOSFET的VDS波形波形，你就会明白发生了什么事

问：

单从功耗来看，加了R，能量消耗低效？

答：

理论上，这种电阻起到阻尼作用，需要能量消耗

但从整个电源系统来看，效率并不一定会降低，因为它抑制了振荡，其他部件的损较小，所以在大多数情况下都会增加RC吸收

答:这个要看RC如果值合适，可以敲掉吸收电压的漏感峰值

答:这就是初级MOS只是RCD的电容够大，MOS尖峰也可以消除，但电阻很热。很多时候，它是折叠的，比如效率和EMI，铁损和铜损。

答：MOS的Vds在最初的设计中，应考虑二级肖特基的耐压性，以免在实际测试中花费大量精力。

答:反激开关电源有这种现象电源上。图2将与图1进行比较，图2将对初级侧进行比较MOS上的Vds压力相对较低，但二次侧整流二极管上的反向电压会变高，就像翘曲板一样。