• IN和SD作为输入控制，电机的旋转状态可以共同控制。在本电路中，SD始终接高电平，由IN控制mos管道的导通和截止。
• VB和VS主要用于形成自举电路(以下详解)
• HO和LO接到MOS管栅极分别用于控制高端和低端MOS导通和截止
• HO=VB/VS，LO=Vcc/GND(根据控制端状态输出)

由于负载（电机）相对于高端和低端的位置不同，而MOS开启条件为Vgs>Vth，这将导致想要高端MOS导通时，其栅极对地所需的电压较大。
因为低端MOS如果要导通，只需要使其栅极电压大于开启电压Vth。而高端MOS如果高端源极接收负载，MOS导通时，其源极电压将上升到H桥驱动电压，如果栅极对地电压不变，则Vgs可能小于Vth，再次关闭。所以想让高端。MOS导通，一定要想办法使其Vgs总是超过或超过一段时间Vth（即格栅极电压保持大于电源电压 Vth）
在本电路中，Vth=1.8v

1.当低端MOS管QC2导通时，B点电压为0，5V电压—>DE1二极管—>自举电路CE1—>QC2.电容器通过这个电路充电，电容器两端的电压大约等于5V（有个二极管的压降）
2.当IN状态切换时，低端MOS管QC2关闭的瞬间，B由于电容器两端存储电压5，点电压仍然为0V，所以Vgs>Vth，高端MOS管QC1能导通
3.随着高端MOS管QC1导通，B点电压升高约为24V，因为电压5存储在电容器的两端V，A点电压升高后，仍高于B点电压5V，相当于QC格栅极G比源极S高5V，QC1能一直导通。此时A点电压变为24V 5V，电压升高，自举完成。

注意：由于电容器持续放电，压差会逐渐降低。最后，电容器正极对地电压(即高端电压)MOS栅极对地电压)会一直下降，所以高端MOS网源电压降至Vth附近，高端MOS还会关闭。所以要做高端MOS连续导通，必须令自举电容不断充放电

自举二极管主要用于防止电容放电时回流VCC，损坏电路

• MOS主要用于限流和抑制振荡
• 在栅极串联电阻上反向并联二极管加速MOS管的关断

为了使低端MOS关闭时，也可以给后电感电流回流路径

DQX没有效果(应该

注意半桥mos管的耐流值
备赛时，电容爆炸可能是电机启动加速时的尖峰电流，击穿电容爆炸

更改方案
方案一：替换EG2104mos管驱动芯片。EG2104输出电压最高为5V，不能使当前mos完全导管(米勒平台)
方案二：替换mos管