有关IR2104的自举电容和NMOS选择问题 - 图文 -

有关IR自举电容及2104NMOS选择问题

这是我第一次用IR2104有一些疑问 希望各位师傅能不遗余力地给我建议

电机驱动电压为17V，频率40KHZ，电流3A的矩形波 如下所示

自举电容C3,C4和Q1,Q2,Q3,Q如何选择4？ U1,U前面有隔离电路吗？ 谢谢啦！

170v加光耦合，自举电容1uf低ESL低ESR即可。

是在U1,U2前加的吧

恩，前面加~

为什么要加？D3,D4,D5和D6? 有何作用?

为什么要加？D3,D4,D5和D6? \

dead time management.

为mos管道放电提供低回路 最好再给mosfet的gs间加个10k的电阻

不过有位师傅说限流电阻为33欧姆 所以D3,D4,D5，D6加不加无所谓 是这样吗？

选择了电路图参数，大家帮忙看看是否合适

1N4004和10K其实也可以省~

能具体说一下吗？

10K电阻不能保证：关闭后栅极通过10存储的电荷K为了保证电荷的快速释放，电阻快速释放吗？ 还有1N4004呢？ 谢谢了！

10K不能省，1N4004还是省下来吧，也是几毛钱 NMOS附带二极管比1N4004高级的多

我也认为10K不能省

觉得 adcr 老稻说的更有道理

都不能省。10K电阻用于保护GS1在关闭时不会被击穿N4004是续流用的，不能省。这里建议1N4004换成MUR二极管快速恢复超过160

我还想问各位师傅

自举电容C3,C4应该没有耐压要求

如果反并连续流管，应注意正压降。如果压降比二极管压降大，那不是悲剧吗？… 肖特基或同步续流？

请教下GS间10K电阻的作用

LZ,我根据你的照片改变了它，自己做了一块。上半桥正常，但下半路中间MOS管一上电就有1A多电流输出。奇怪的是，电路没有短路，2104两端输出正常。原理图如下。

自举电容1uf低ESL低ESR即可。

20楼的图片，下面的半桥，为什么？HO接到低端MOS，LO接到了高端MOS呢？

有没有人用220做过？V ac整流堆流出，然后用ir2104驱动mos管驱动电机的兄弟呢？

不加光耦有什么后果？

0楼歪才，想用信号控制2104(正相和反相)LO和HO输出电平不同，正确的方法是在2104信号输入端加反相器

Nmos不是自己带了二极管吗？为什么要加一个续流二极管？

你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS不是内部加了二极管吗？

你好，我想问一下为什么1N4004不能省，不是NMOS不是内部加了二极管吗？ ...

如果内部有，可以省略。自举回路二极管应使用MUR系列，比较合适

如果内部有，可以省略。自举回路二极管应使用MUR系列，比较合适

但是我看到了一些资料，也说了一些资料MOS内部二极管是寄生的，性能不是很好。MOS管理数据手册(例如IRF3205)其内部二极管可通过电流连续110A，性能很好。这让我很困惑。你能回答吗？

10K可以不要。

用主动升压,C3,C4也可以省

有关IR自举电容及2104NMOS选择问题

主动升压，C3,C4也可以省

兄弟可以推荐电路吗？ 主动升压能占空比吗？

最好在驱动供电的地方加10000uf的电解电容

我的电路图有问题，先把它连接起来VB上二极管被快速恢复取代FR然后在电源上连接电解电容器V ...

大神，你的电路驱动成功了吗？为什么我和你的电路一样不成功？