MOS管驱动电路

MOS管道因其导通内阻低、开关速度快而被广泛应用于开关电源中。用好一个MOS管道，其驱动电路的设计至关重要。以下是几种常用的驱动电路。

1、电源IC直接驱动

电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，要注意几个参数和这些参数的影响。

①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

②了解MOS如图所示C1、C寄生电容越小越好。C1、C2.MOS如果电源IC如果没有较大的驱动峰值电流，则管道导通速度较慢，无法达到预期效果。

2、推挽驱动

当电源IC当驱动能力不足时，可以使用推拉驱动。

这种驱动电路的优点是提高电流提供能力，快速完成栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需的时间，但减少了关闭时间，开关管可以快速打开，避免上升边缘的高频振荡。

3.加速关闭驱动

MOS管道通常是慢开快关。在关闭时，驱动电路可以提供尽可能低阻抗的通道MOSFET格栅源极间电容电压快速泄漏，保证开关管快速关闭。

为了快速释放栅极间电容电压，驱动电阻通常并联一个电阻和一个二极管，如上图所示D快速恢复二极管是常用的。这减少了关闭时间和损失。Rg2.关闭时防止电流过大，并使用电源IC给烧掉。

如上图所示，这是我以前使用的电路，量产至少数万台，推荐使用。

用三极管排放栅源的极间电容电压是很常见的。Q当1的发射极没有电阻时PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。

另一个优点是，当电流不通过电源时，电源极间电容上的电荷泄漏IC，可靠性提高。

4、隔离驱动

满足高端MOS变压器常用于管道驱动。R1目的是抑制PCB寄生在板上的电感和C1形成LC振荡，C1的目的是通过交流隔离直流，防止磁芯饱和。