ASEMI肖特基二极管MBR20300FCT的VI特性和优缺点

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二极管肖特基势垒MBR20300FCT的VI特性：

从VI可见肖特基势垒二极管的特点MBR20300FCT的VI特性与普通PN结二极管相似，但仍存在以下差异。

肖特基势垒二极管的正压降低于普通PN结二极管。由硅制成的肖特基势垒二极管的正压降为0.3伏至0.正向压降5伏。

随着n型半导体混合浓度的增加，正向电压降增加。由于载流子浓度高，肖特基势垒二极管VI特性比普通PN结二极管陡峭。

肖基特二极管MBR20300FCT的优缺点

MBR20300FCT优点：

低正向压降

硅二极管中开启电压为0.2V-0.3V标准硅二极管的开启电压为0.6到0.7伏之间。这使得它具有与锗二极管相同的开启电压。

快速恢复时间

由于储存电荷少，恢复时间快，这意味着可用于高速开关。

低结电容

考虑到非常小的有源区域，电容水平通常非常小，因为在硅上使用线点接触。

高电流密度

肖特基二极管的耗尽区可以忽略不计。所以施加小电压就足以产生大电流。

噪音小

肖特基二极管产生的不必要的噪声比典型PN结二极管较少。

更好的性能

能轻松满足低压应用要求的肖特基二极管将消耗更少的功率。

MBR20300FCT缺点：

反向电流较高

由于肖特基二极管是金属半导体结构，在电压反向时更容易发生泄漏。

最低最大反向电压

反向电压是当电压反向连接（从阴极到阳极）时，二极管会击穿并开始传输大量电流的电压。这意味着肖特基二极管不能承受大的反向电压，而不会击穿和传输大量电流。即使在达到最大反向值之前，它仍然会泄漏少量电流。