乍一看，这是数字电路中使用的倒相器，但实际上它也是模拟电路中的推拉放大器（Push-Pull）。由于管道的工作区域不同，应用场景也不同。

当输入信号时，如果输出端有容性负载$V_{in}$增大时，$V_{gsn}\uparrow$，$V_{gsp}\downarrow$
所以，$I_{M1}\uparrow$，导致电容放电速度加快。$I_{M2}\downarrow$，导致电容充电速度减缓。二者叠加，电容的净放电速度加快，说明此电路的动态响应很快！这是好事

在输入信号变化时，两管$V_{GS}$都变，同为放大管。
对P管来讲，N管是负载，对N管来讲，P管是负载，互为放大管，互为负载。
$A_{v-CS}=(g_{m1}+g_{m2})\cdot r_{d1}//r_{d2}$，相当于多放大了一倍
但是这种结构很难用起来

M1在饱和区的时候，$V_{DS}>V_{GS}-V_{TN}\to V_O>V_{in}-V_{TN}$
M2在饱和区的时候，$V_{DS}<V_{GS}+V_{TP}\to V_O-V_{DD}<V_{in}-V_{DD}+V_{TP}\to V_O<V_{in}+V_{TP}，(V_{TP}<0)$

当静态工作点位于Q点附近时，$I_{static}$大，ClassA，全波放大
当静态工作点位于$V_{TN}$时，$I_{static}=0$，ClassB，半波放大
当静态工作点位于$V_{TN}$右侧一点点时，$I_{static}略>0$，ClassAB

平坦的区域作为逻辑器件使用，陡峭的部分是过渡区，可以作为推挽放大
但放大区域非常窄，斜率就是放大倍数，静态工作点难固定
在图中Q点时，两个MOS都位于饱和区，适合放大，但是流过的电流太大
假设Q点$V_{in}=\frac{V_{DD}}{2}=2.5V$，$\Delta =1.5V$，$I=\frac{1}{2}k{\Delta }^2$
我们一般用的MOS管的过驱动电压大概为$\Delta =0.2V$，所以电流比为$(\frac{1.5}{0.2}{)}^2=56$，电流增大了56倍，不能用

一般的，NMOS电流镜偏置NMOS，PMOS电流镜偏置PMOS，从电流镜的栅极引出。
现在输入端既偏NMOS又偏PMOS，所以需要改偏置才能更好地工作。

图中$V_{LS}$为直流电平移位，交流短路。
图中先偏置PMOS，然后M1的偏置为$V_i-V_{LS}$。直流偏置会使$I_{static}$变小，趋于正常偏置，交流时电平移位短路，不会影响交流放大

1. 用MOS二极管结构来做
   图5. MOS二极管电平移位

$I=\frac{1}{2}k{\Delta }^2$
电流源电流可控，所以可以通过增大电流$I$来增大$V_{GS}$，也可以降低$k$，从而增大移位电平
MOS二极管结构的输入阻抗为$r_i=\frac{1}{g_m}$，低阻抗，交流小信号流过几乎不受干扰，近似短路

2. 用共漏放大结构来做
   图5. CD电平移位

$V_{GS}=V_i-V_o$，$I=\frac{1}{2}k{\Delta }^2$
通过控制电流或者k，达到控制移位电平的效果
输入阻抗： r i = 1 g m 1 + g d 1 + g d − m i r r o r ≈ 1 g m 1 r_{i}=\frac{1}{g_{m1}+g_{d1}+g_{d-mirror}}\approx \frac{1}{g_{m1}} ri​=