选用MOS管ASE10N65SE-ASEMI应当注意哪几方面

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在电源系统中，MOS管道可视为电气开关。在N通道中MOS管ASE10N65SE当正电压应用于栅极和源极之间时，开关导通。打开时，电流可以通过开关从漏极流向源极。然后选择MOS管ASE10N65SE-ASEMI应该注意哪些方面？

确定额定电流

根据电路配置，额定电流应是所有条件下负载的最大电流。类似于电压，需要确保所选的MOS管ASE10N65SE即使系统产生峰值电流，也能承受额定电流。连续模式和脉冲尖峰是目前考虑的两种情况。在连续导通模式下，MOS当电流不断流过设备时，管道处于稳态。脉冲尖峰是指当有大浪涌(或峰值电流)流过设备时。这些条件下的最大电流一旦确定，只需选择能承受最大电流的电流ASE10N65SE即可。

导通损耗必须在选定额定电流后计算。在实际应用中，MOS管ASE10N65SE并不是理想的器件，因为在导通过程中会有功率损耗，称为导通损耗。 MOS管ASE10N65SE导通就像一个由器件引导的可变电阻RDS(ON)决定，并随温度明显变化。可通过设备的功耗Iload2×RDS(ON) 由于导通电阻随温度变化，功耗成比例变化。MOS施加管道的电压VGS越高，RDS(ON)越小。对于便携式设计，使用低压更容易(更常见)，而对于工业设计，可以使用高压。请注意，RDS(ON) 电阻随电流略有上升。RDS(ON)在制造商提供的技术数据表中可以找到电阻的各种电气参数变化。

2.确定散热要求

选择MOS管ASE10N65SE下一步是计算系统的散热要求。必须考虑两种不同的情况，最坏的情况和真实的情况。建议使用最坏的计算结果，因为它提供了更大的安全余量，以确保系统不会出现故障。MOS管ASE10N65SE还有一些测量数据需要注意。如半导体结与环境之间的热阻，以及封装器件的最高结温。

ASE10N65SE结温等于最高环境温度加热阻和功耗的乘积(结温=最高环境温度 [热阻x功耗])。根据定义，系统的最大功耗可以从这个等式解决。I2×RDS(ON)。由于通过设备的最大电流已经确定，因此可以在不同下计算出来RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单的热模型时，还必须考虑半导体结/器件外壳和外壳/环境的热容量。即不要立即加热印刷电路板和包装。

确定开关性能

选择MOS管ASE10N65SE最后一步是确定MOS管道开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极和漏极/源极电容。由于每次开关都充电，这些电容器都会在设备中产生开关损耗。因此，降低MOS管道的开关速度也降低了设备的效率。要计算开关期间设备的总损耗，必须计算开关期间的损耗(Eon)关闭期间的损失(Eoff)。MOS管开关的总功率可以用下式表示：Psw=(Eon Eoff)×开关频率。栅极电荷(Qgd)对开关性能影响最大。