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MC9S2XS128 单片机基本知识点

时间:2022-09-17 18:00:01 mc8位电容mc104电容

文章目录

  • MC9S12XS128单片机简介
    • 一、MC9S12系列命名规则
    • 二、MC9S12XS128特性
    • 三、引脚说明
      • 3.1 振荡器引脚
      • 3.2 复位引脚
      • 3.3 引脚的背景调试
      • 3.4 输入引脚选择模式
      • 3.5 要求引脚中断
      • 3.7 电源引脚
    • 四、存储结构
      • 4.1 由地址空间组成
      • 4.2 扩展内存空间

MC9S12XS128单片机简介

一、MC9S12系列命名规则

MC9S基于飞思卡尔半导体推出的12系列单片机 CPU12内核16位车用MCU,其命名规则如下:

MC 9 S12 DG 128 B M FU
1 2 3 4 5 6 7 8
  1. 表示质量识别状态

    MC=产品完全合格

    XC=初始产品

    PC=预质量产品

  2. 表示存储类型为Flash。

  3. 表示内核类型。

  4. 表示系列

  5. 表示Flash大小

  6. 表示Flash版本标志反映了不同的擦写电压

  7. 表示工作温度范围。

    C=-40 ℃ ~ 85℃; V=-40 ℃ ~ 105℃; M=-40 ℃ ~ 125℃

  8. 表示包装形式

    FU = 80QFP

    PV = 112LQFP

二、MC9S12XS128特性

MC9S12XS MCU组成框架如下

image-20210918190911040

其主要硬件特性有:

  • 16位 CPU 主频40~50MHz
  • 内部存储器
    128KB Flash
    8KB RAM
    8KB Data Flash
  • 外围设备
    两个增强的串行通信接口(SCI)
    两个串行外设接口(SPI)
    1个 msCAN 模块
    2个8通道12位 A/D
    8通道16位 定时器(TIM)
    8通道8位PWM
    在24个通道周期中断定时器(PIT)

具体芯片的结构框图如下:

三、引脚说明

MC9S12 有 144/112/80 让我们先宏观引脚。 MC9S12XS128 具体如下:

我们主要关注他的几个重要引脚:

3.1 振荡器引脚

振荡器引脚 XTAL 和 EXTAL (47、46) 通过外部振荡器输入周期性脉冲 MCU 系统提供时间基准 ,外部时钟可按以下分类:

外部时钟单元有两种接法, 一是外部晶振,二是外部时钟单元

外部晶振有两种:无源晶振和有源晶振。单片机通过 EXTAL 输出晶振驱动信号到晶振,输入晶振生成周期信号 XTAL 晶振接法常用作时钟基准如下:

这种接法的优点是接法简单,缺点是不那么容易振动,需要帮助 C1,C2 起振电容

3.2 复位引脚

复位引脚对应于单片机 42 脚, 引脚控制电平信号是低电平有效的双向控制信号 。输入引脚时,可以将其拉低MCU复位为默认状态; 若时钟监视器或COP看门狗检测到内部故障,引脚作为泄漏输出引脚的外部指示,通常连接到复位电路,按下按钮,手动复位系统

3.3 引脚的背景调试

引脚的背景调试 BKGD 位于23脚, 该引脚采用特殊的自定时协议接收串行的背景调试命令 ,并发送命令执行结果。当引脚设置为输入时,内部有源上拉,但无上拉和关闭控制。

3.4 输入引脚选择模式

引脚分别选择模式 MODA 、MODB 、MODC 对应 38、37、23 引脚, 这 复位期间三个引脚的状态决定了MCU的运行模式 ,复位期间,MODA、MODB 在下拉状态下,模式引脚沿着采样和模式寄存器沿着复位信号上升,相应的模式控制如下表所示

MODC MODB MODA 模式 ADDR DATA BDM
0 0 0 特殊单芯片模式 0 0 激活
0 0 1 特殊窄扩展模式 16 8 允许
0 1 0 特殊测试模式 16 16 允许
0 1 1 特殊宽扩展模式 16 16 允许
1 0 0 普通单芯片模式 0 0 允许
1 0 1 普通窄扩展模式 16 8 允许
1 1 0 外设模式
1 1 1 普通宽扩展模式 16 16 允许

3.4.1 普通运行模式
普通模式共分三种,都是应用系统开发结束后的最终运行模式。它们都支持背景调试模式(BDM),但对于某些操作必须首先将BDM使能,然后再激活后才能通过BDM命令进行调试。

  • 普通单芯片模式: 该模式无外部总线,端口A、端口B和端口E被设置成通用I/O接口。端口E的两个引脚PE1和PE0仅能工作在内部上拉的输入方式,其它22个引脚均可设置为输入或输出,不过复位后它们均被默认设置为高阻输入方式,另外复位后,端口E的上拉有效,端口A和端口B的上拉被禁止。

  • 普通宽扩展模式:端口A和端口B为外部地址和数据总线,其中A15A8和D15D8分时使用端口A的8个引脚,A7A0和D7D0分时使用端口B的8个引脚。R/W等总线控制信号复位后默认有效。

  • 普通窄扩展模式:端口A和端口B为16位外部地址总线,其中端口A输出高8位(A15A8),其中端口B输出低8位(A7A0),8位外部数据总线D7~D0与高8位地址线分时复用端口A的8个引脚。

3.4.2 特殊运行模式
特殊模式主要用于系统开发和器件检验。

  • 特殊单芯片模式:该模式可用于强制MCU激活BDM,以允许通过BKGD引脚进行系统调试。在该模式下,MCU不像在其它模式下那样,取中断向量,然后执行应用程序代码等,而是以激活的BDM固件接受来自BKGD引脚的串行命令,并控制CPU的运行。该模式下没有外部总线。MCU作为一个独立器件运行,所有程序和数据存储空间均位于片内,外部接口均可作为通用I/O。

3.4.3 单片运行模式

3.4.4 扩展运行模式

扩展运行模式又有普通运行模式和特殊运行模式之分,其区别是有些寄存器只能在特殊模式下读写。

80引脚的单片机A、B、K口都没有引出,故不能使用扩展运行模式。

S12单片机有8种运行模式,还有扩展仿真模式,可以看到,总线上的控制信号,可接逻辑分析仪用于调试;还有测试模式、外设模块测试模式等用于芯片生产中的测试,这些模式一般用不到。

3.4.5 低功耗模式

除了上面的运行模式,MC9S12XS128 还有三种低功耗模式,该模式通过另外的寄存器来控制,三种低功耗模式如下:

模式 功能
STOP Mode 所有时钟和振荡器停止运行, 27℃典型电流值30uA。
Pseudo STOP Mode 振荡器仍然运行,外设关闭, 27℃典型电流值350uA。
WAIT Mode 内部地址、数据总线停止运行,外设可配置关闭,当所有模块有效,最大消耗40mA电流;如果只有实时中断有效,最大消耗5mA电流。

3.5 中断请求引脚

3.5.1 可屏蔽中断请求引脚
可屏蔽外部中断输入引脚 IRQ(55脚),可以用于从STOP或WAIT模式唤醒MCU

3.5.2 不可屏蔽中断请求引脚
不可屏蔽外部中断输入引脚 XIRQ(56脚),可以用于从STOP或WAIT模式唤醒MCU

3.7 供电电源引脚

引脚名称 引脚号 额定电压 描 述
VDD1,2 13,65 2.5V 内部电压调节器输出电源和地
VSS1,2 14,66 0V 同上
VDDR 41 5.0V 外部电源和地,供给引脚驱动器( PortA、B、E、H )和内部电压调节器
VSSR 40 0V 同上
VDDX 107 5.0V 外部电源和地,供给引脚驱动器
VSSX 106 0V 同上
VDDA 83 5.0V A/D工作电源和地
VSSA 86 0V 同上
VRL 85 0V A/D参考电源和地
VRH 84 5.0V 同上
VDDPLL 43 2.5V 为PLL工作提供电源和地。
VSSPLL 45 0V 同上
VREGEN 97 5V 内部电压调节器有效(H)/无效(L)

四、存储器结构

4.1 地址空间组成

MC9S12XS128 单片机地址空间如下图:

  • 在 CPU12 复位时,I/O寄存器占用从 $00 开始的 1KB 地址空间( $0000~ $03FF),虽然用户可以将I/O寄存器重新定义到前32KB地址空间的任何一个2KB空间的前 1KB ,但最好不要这样做。因为I/O空间放在 $00 开始处,使得读写 $0000 到 $00FF 这256个 I/O 寄存器可以使用直接寻址方式,直接寻址方式的指令比扩展寻址方式短1个字节,速度会比读写其它地址空间快一些。别的存储器模块如EEPROM、RAM和部分Flash也都可以定义到其它地址空间。不是特别必要时,尽量使用系统的默认设置。

  • 从 $0400 到 $1000 是 EEPROM 空间。一些 CPU12 构成的单片机有 4KB 的 EEPROM,因为从 $0000 开始的 1KB 空间被 I/O 寄存器占用了,不重新定义EEPROM的地址的话,实际可以使用的 EEPROM 只有 3KB。若一定要使用片内的 4KB EEPROM,则要重新将EEPROM定义到其它空间,或者将I/O寄存器移到其它空间。

  • 从 $1000 到 $3FFF 是 RAM 空间,不同型号的 CPU12 构成的单片机有不同的片内RAM配置。从 2KB、4KB、8KB到12KB。MC9S12DP256有12KB的RAM,占据 $1000 到 $3FFF 的全部空间,而 MC9S12DG128 默认为 $0000到 $1FFF,我们在监控程序中定义到 $2000 到 $3FFF 为 8KB

  • $4000 到 $FFFF 的 48KB 为 Flash 存储器空间,分成3个 16KB 空间。

  • 最后16KB空间的最后256B,即 $FF00 到 $FFFF 是中断向量表空间。

CPU12构成的单片机还有一种特殊工作方式(特殊单片方式或特殊扩展方式)。被称之为调试方式或BDM方式。在这种方式下,CPU12用内部的256B的ROM将 $FE00 到 $FEFF 的前 256B 的 Flash 空间覆盖掉。当然覆盖掉的空间在BDM模式下还是可以通过BDM指令访问到的

4.2 内存空间扩展

CPU12 构成的单片机 片内Flash可以超过64KB寻址空间达到128KB、256KB或者512KB ,参见上图,256KB的Flash先 被分成64KB一块,共4块(Block0~Block3)每块还可以细分为16KB一页,共16页。每夜再细分为4KB、2KB、1KB或512B一段

片内Flash在64KB级以上的CPU12构成的单片机,有一个存储器页面寄存器PPAGE,该寄存器为5位,最多可管理32个16KB存储器页,故CPU12单片机最多可以有512KB片内Flash。

MC9S12DP256的256KB Flash可分为16KB存储器,每个存储器页面编号为 $30~ $3F 的某个值。CPU12在64KB内存的 $8000 到 $BFFF 这一段开了一个窗口,永远只能看到页面寄存器的某一页,这里指 $30~ $3D 这14个页面。256KB的Flash中, $3F 这一页永远定位在 $C000 到 $FFFF 这一段,$3E 页永远定位在 $4000到 $7FFF 这一段,另外14页只能通过 $8000 到 $BFFF 这一窗口访问,Flash的换页是通过向PPAGE寄存器(地址为 $30 )写入页面编号实现的。

Flash存储器页面寄存器 PPAGE 的值 $00 ~ $2F 留给扩展方式下使用外部存储器时对外部存储器分页使用。

4000 到 FFFF 是 CPU12 构成的单片机又连续 48KB 的程序空间 (存放程序代码),对于 Flash 低端的 512B 或者 1KB、2KB、4KB 空间可以通过写保护寄存器保护起来,即3E这一页,从 4000 开始的 512B 或者 1KB 、2KB、4KB 空间页面可以通过写保护寄存器保护起来,使之成为不可局部擦除的,除非整体擦除。32、36、3A页面也有同样的特性,但地址从 8000 开始。

对于 Flash 的高端地址,Flash 也可以按一定的大小保护起来, 保护的含义是禁止局部擦除 。高端的保护总是从最高地址开始的某一指定大小的存储块,被保护存储块的大小可以是 2KB、4KB、8KB 或整个 16KB ,也可以是全部 Flash,可以对Flash和EEPROM加密,这部分管理Flash和EEPROM的寄存器不在I/O寄存器空间,在BDM模式下的FF00~ FF07处。

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