下图为直流电路。

求基极的直流电位：V_B=(R1·VCC）/ (R1 R2) （V）
发射极的直流电位：V_E=(V_B-V_BE)（V） (V_BE基极-发射极电压为=0.6V）
发射极上流动的直流电流：I_E=V_E/R_E=V_B-0.6 / R_E (A)
集电极的直流电位(减去负载电阻)R_C获得的值):V_C=VCC-I_C·R_C（V）
因为基极的电流很小，可以看作是I_C=I_E，得V_C=VCC-I_E·R_C（V）
电路上获得的结果如下图所示：

设计要求:设计电压增益4(12)的共发射极放大电路dB）倍，最大输出电压 4V_P-P，任意输入输出阻抗的频率特性。

结合放大倍数，确保添加最大输出电压R_E 上的电压为1-2V（因为V_BE为0.6V，晶体管具有温度特性，V_BE变化，集电极电压V_CE和V_E也会变化，吸收变化)，VCC为5-6Vπ，因此取VCC=15V（10V不能满足最大输出电压)。

晶体管按用途大致可分为低频(2)SB****，2SD*****）和高频（2SA****，2SC****），可分为大功率和小功率。在追求性能时要慎重选择。
这里选择2SC2873。

在频率特性最好时，应选择晶体管工作I_E， 这里设I_E=1.5mA。
小信号共发射极放大电路的发射极电流一般为0.1mA数毫安之间。

由A_V=R_C/R_E=4:1，且设V_RE=1.5V，由I_E=1.5mA，得R_E=1KΩ，R_C=4KΩ。（因为基极电流很小所以忽略不计）
V_CE=VCC-I_E·（R_C R_E）=15-10=7.5V
晶体管损耗P_C(集电极和发射极之间的损失变成热量)
P_C=V_CE·I_C=7.5V·1.5mA=11.25mW
注意：如果R_C 如果值太大，那就在R_C当输出振幅较大时，集电极电位接近发射极电位，切断输出波形的下侧。
相反如果R_C 集电极电位靠近电源电位，切断输出波形的上侧。
解决这个问题最好是集电极电位V_C 设定在VCC与V_E中点。(调整V_E和I_C的值）

该电路中V_RE=V_E=2V，且V_BE=0.6V，所以基极电位V_B=2.6V。
V_B 是由R₁和R₂ 电源电压分压后的电位设置V_R2=2.6V，则V_R1=20-2.6=17.4V。
基极电流I_b 集电极电流的1/h_FE，设h_FE=200，则I_b=0.01mA。
所以必须在R₁和R₂上流过比基大得多的电流，使基极电流可以忽略（一般超过10倍），这里I_1·2=0.2mA。
则R₁=V_R1/I_1·2=17.4V / 0.2mA=87KΩ,
R₂=V_R2/I_1·2=2.6V / 0.2mA=13KΩ,
(取标称值)

仿真结果如下图，数据有点误差，但是在允许范围。

A_V=3.848/1=3.8(11.5dB)
输入输出波形图

下图表示测量输入阻抗的方法，认为加在电路上的输入电压V_i是信号电压V_S用R_S与Z_i（输入阻抗）分压后得到的

如下图所示当R_S=11KΩ时，V_i波形为V_S波形的一半所以输入阻抗Z_i=R₁//R₂=11KΩ
。

下图表示输出阻抗的测量方法，认为输出信号V_o为输出阻抗Z_o和负载电阻R_L分压得到的。

当R_L=4KΩ时，V_o减小为原来（不接负载时）的一半，所以Z_i=R_C=4KΩ，即输出阻抗为R_C的值。

该电路的频率特性如下图所示，低频截止频率 f_cl=1/2π·C·R（是输入侧高通滤波器的值，没有接负载情况下，有的话取较大那一个），高频截止频率与晶体管，封装，以及密勒效应有关。

有了上述放大电路，想稍微提高放大倍数时，如果随意改变R_C和R_E的值，则连偏置也变了，从而导致最大输出振幅改变，出现输出波形失真。
可以采用如下方法，在不改变直流电位的情况下提高交流增益。

举例一种：将R_E分为R_e1和R_e2，并在R_e2上并联一个电容，这样电路的直流电位不变，放大倍数A_V=R_C/R_e1=4/0.1=40(32dB)
如下图

失真率与放大倍数成正比。

完！