nand flash 裸板驱动，介绍的比较精辟

NAND Flash驱动程序设计 http://www.usr.cc/html/99/n-599.html 1. 硬件特性： 【Flash硬件实现机制 Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，对应于易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性就是不容易丢失，数据存储在这类设备中，即使断电了，也不会丢失，这类设备，除了Flash，还有其他常见的硬盘，ROM等等，相比之下，易失性是断电，数据丢失，比如常用的内存，不管是以前SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR等等，都断电了，数据就没了。 Flash内部存储是MOSFET，有一扇悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 Flash内部存储是MOSFET，有一扇悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。 在Flash以前，紫外线可以擦除(uv-erasable)的EPROM，已使用Floating Gate存储数据的技术。 数据在Flash电荷用于内存单元(electrical charge)形式存储。存储电荷的数量取决于图中的外部部门（external gate）施加的电压控制是将电荷冲入存储单元还是释放电荷。数据显示，存储的电荷的电压是否超过特定阈值Vth来表示。 【SLC和MLC实现机制 Nand Flash根据内同层次的内部存储数据单元的电压，即存储1位数据或多位数据，可分为SLC和MLC： 1. SLC，Single Level Cell: 单个存储单元只存储一个数据，表示为1或0. 以上是对数据表示的介绍，存储在单个存储单元中的电荷电压和特定阈值电压Vth，假如大于此Vth值是指1，相反，小于Vth，就表示0. 对于nand Flash数据写入1是控制External Gate充电，使储存的电荷足够，超过阈值Vth，就表示1了。写入0就是放电，电荷减少到小于Vth，就表示0了。 关于为何Nand Flash不能从0到1，我的理解是，物理上，可以实现每个，从0到1，但事实上，对于实际的物理实现，出于效率，如果每个存储单元可以单独控制，即0到1，每个存储单元单独充电，所需的硬件实现非常复杂和昂贵，同时，块擦除操作，之前的速度一闪而过是无法实现的，失去了Flash许多特点。 2. MLC，Multi Level Cell： 与SLC相应地，单个存储单元可以存储多个位置，如2位、4位等。 2. MLC，Multi Level Cell： 与SLC相应地，它是一个单一的存储单元，可以存储多个位置，如2位、4位等。事实上，实现机制相对简单，即通过控制内部电荷，分为多个阈值，通过控制内部电荷，实现我们需要存储的不同数据。例如，假设输入电压为Vin＝4V(实际上没有这样的电压，这里只是为了举例方便)，所以可以设计2次方=4个阈值，1/4Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分别表示2位数据00示2位数据00、01、10、11，即充电，通过控制内部电荷，对应地表示不同的数据。 读取是通过相应的内部电流(与Vth成反比)，然后通过一系列解码电路读取，分析存储的数据。 读取是通过相应的内部电流(与Vth成反比)，然后通过一系列解码电路读取和分析存储的数据。这些具体的物理实现有足够准确的设备和技术来实现准确的数据写入和读取。 单个存储单元可以存储2位数据，称为2次方=4 Level Cell，而不是2 Level Cell，这一点，以前。。。，同样，对于可以存储4位数据的新单个存储单元，称为2的4次方=16 Level Cell。 【关于如何识别SLC还是MLC】 Nand Flash在设计中，有一个命令叫做Read ID，读取ID，意思是读取芯片ID，就像你的身份证一样，你在这里读到的ID读取几个字节，一般至少4个，新芯片，支持5个或更多，从这些字节中，可以分析大量相关信息，比如此Nand Flash内部有几个芯片（chip）每一个chip包含了几片（Plane），页面大小、块大小等。其中一个是识别这些信息flash是SLC还是MLC。下面这个就是最常见的Nand Flash的datasheet第三个字节，3rd byte，所表示的信息包括SLC/MLC的识别信息： http://www.usr.cc/html/00/n-600.html 上图很常见Nand Flash所有的引脚（Pin）对应的功能，简单翻译如下： 1. I/O0 ~ I/O7:输入地址/数据/命令，输出数据 2. CLE：Command Latch Enable，在输入命令之前，在模式寄存器中设置命令锁定使能CLE使能 3. ALE：Address Latch Enable，在输入地址之前，地址锁定使能，在模式寄存器中设置ALE使能 4. CE#：Chip Enable，操作芯片使能Nand Flash在操作之前，您必须选择此芯片 5. RE#：Read Enable，在读取数据之前，先读取使能CE＃有效。 6. WE#：Write Enable，写使能，在写数据之前WE＃有效。 7. WP#：Write Protect，写保护 8. R/B#:Ready/Busy Output,就绪/忙主要用于检测这些操作是否在发送编程/擦除命令后完成。忙意味着编程/擦除操作仍在进行中，就绪意味着操作已经完成. 9. Vcc：Power，电源 10. Vss：Ground，接地 11. N.C：Non-Connection,未定义，未连接。 [小常识] 在数据手册中，你经常会看到，对于引脚定义，有些字母上有一个横杆，这意味着引脚/信号低电平有效，比如你在上面看到的RE头上有一条横线，这意味着RE低电平有效。此外，为了方便书写，在字母后面添加#也意味着低电平有效。例如，我上面写的CE#；假如字母头上什么都没有，就是默认的高电平有效，比如上面的CLE，高电平有效。还有，在前面加一个小的n,例如nRE,这也意味着低电平有效。 【为何需要ALE和CLE】 突然想明白了，Nand Flash为什么设计这么多命令，使整个系统如此复杂： 例如，命令锁定使能(Command Latch Enable,CLE)使用地址锁定(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是重用的，也就是说，你可以传输数据、地址或命令。为了区分你当前的输入，你必须先发送一个CLE（或ALE）命令，告诉nand Flash控制器一声，我下面要传的是命令(或地址)，这样里面就可以根据传的内容进行相应的动作。否则,nand flash在内部，你怎么知道你输入的是数据、地址还是命令所以你无法实现正确的操作. 【Nand Flash只有8个I/O引脚的好处 1. 减少外围引脚：相对于并口(Parellel)的Nor Flash对于48或52个引脚，引脚的数量确实大大降低，这样包装后的芯片体积，就小很多。目前芯片在体积小、功能强、功耗低、芯片体积减小等方面具有很大的优势。目前，芯片具有体积小、功能强、功耗低的优点。同时，减少芯片接口也意味着与该芯片相关的外围电路将更加简化，避免繁琐的硬件连接。 2. 提高系统的可扩展性，因为没有像其他设备一样用物理大小对应的完全数目的addr引脚在芯片内部更换了芯片的大小等。addr引脚会导致这些引脚的数量增加，比如容量增加一倍，地址空间/搜索空间增加一倍，所以地址线的数量/addr多加一个引脚数，统一使用8个I/O的引脚的Nand Flash，由于外部提供了统一的8个引脚、内部芯片尺寸或其他变化，外部用户（如编写）nand flash驱动的人)不需要关心，只需要保证新的芯片，或者遵循相同的界面，相同的顺序，相同的命令。这提高了系统的可扩展性 【Nand flash的一些典型(typical)特性】 1.页面擦除时间为2000us，有些慢的有800us。这提高了系统的可扩展性 【Nand flash的一些典型(typical)特性】 1.页面擦除时间为2000us，有些慢的有800us。 2.块擦时间为1.5ms. 3.页数据读取数据寄存器的时间一般为20us。 4.串行访问（Serial access）读取数据的时间是25ns，而一些旧的nand flash是30ns，甚至是50ns。 5.输入输出端口是地址、数据和命令multiplex复用的。 以前老的Nand Flash，编程/擦除时间短，如K9G8G08U0M，才5K后来很多6.nand flash编程/擦除的使用寿命最多允许，以前nand flash多数是10K二，也就是一万次，现在有很多新的nand flash，例如，技术进步，Micron的MT29F1GxxABB，Numonyx的NAND04G-B2D/NAND08G-BxC，都可以达到100K，也就是编程/擦除10万次。和以前一样常见Nor Flash使用寿命相同。 6. 48引脚的TSOP1(K9F1208UOM)封装或 52引脚的ULGA封装 【Nand Flash特殊硬件结构 由于nand flash与其它常见的设备相比，比较特殊，因此，特殊的设备，也有特殊的设计，因此，有一些特殊的硬件特性，有必要解释一下: 1. 页寄存器（Page Register）：由于Nand Flash在阅读和编程操作方面，最小单位通常是页面，因此，nand flash在硬件设计中，考虑到这一特点，每一块都有一个专门用于存储、写入物理存储单元或刚从存储单元中读取的相应区域，一页数据，这个数据缓存区，本质上是一个buffer，但只是名字叫法不同，datasheet里面叫做Page Register，此处翻译为页寄存器，实际理解为页缓存，更为恰当些。正是因为有些人不了解内部结构，才容易产生之前遇到的误解:认为内存中的数据是通过的Nand Flash的FIFO，写入到Nand Flash里面去，就以为立刻实现了实际数据写入到物理存储单元中了。事实上，它只是写在这个页面缓存中，只有当你发送相应的编程第二阶段的确认命令0x10后，实际的编程动作才开始，页面缓存中的数据才开始写入物理存储单元。事实上，它只是写在这个页面缓存中，只有当你发送相应的编程第二阶段的确认命令0x10后，实际的编程动作开始了，页面缓存中的数据开始写在物理存储单元中。这就是为什么命令0已经完成x10后需要等一段时间。 因此，简单总结一下，对于数据的流向，实际上经过了以下步骤： 图4 Nand Flash读写时的数据流 【Nand Flash中的坏块(Bad Block)】 Nand Flash在中间，一个块中含有一个或多个位置是坏的，成为坏块。 坏块的稳定性是不能保证的，也就是说，不能保证你写的数据是对的，或者写对了，读出来也不一定对。而正常的块，写入读出一定是正常的。 有两种坏块： (1)一种是出厂的时候，也就是你买的新的，还没用过。Nand Flash，它可以包含坏块。此类出厂时就有的坏块，被称作factory (masked)bad block或initial bad/invalid block，出厂前，会做相应的标记，标记为坏块。 具体的标记是，目前常见的页面大小为2K的Nand Flash，是块中的第一页oob起始位置(关于页面和什么oob，第一个字节(旧页面，pagesize是512B甚至256B的nand flah，坏块标记是第6个字节），如果不是0xFF，就说明是坏块。相对应的是，所有正常的块，好的块，里面所有数据都是0xFF的。 （2）第二类叫做在使用过程中产生的，由于使用过程时间长了，在擦块除的时候，出错了，说明此块坏了，也要在程序运行过程中，发现，并且标记成坏块的。具体标记的位置，和上面一样。这类块叫做worn-out bad block。 对于坏块的管理，在Linux系统中，叫做坏块管理（BBM，Bad Block Managment），对应的会有一个表去记录好块，坏块的信息，以及坏块是出厂就有的，还是后来使用产生的，这个表叫做坏块表（BBT，Bad Block Table）。在Linux内核MTD架构下的Nand Flash驱动，和Uboot中Nand Flash驱动中，在加载完驱动之后，如果你没有加入参数主动要求跳过坏块扫描的话，那么都会去主动扫描坏块，建立必要的BBT的，以备后面坏块管理所使用。（这样每次使用之之前，都会自动扫描一下，建立BBT，这样就可以跳过怀块进行别的方面的处理了） 而关于好块和坏块，Nand Flash在出厂的时候，会做出保证： 1.关于好的，可以使用的块的数目达到一定的数目，比如三星的K9G8G08U0M，整个flash一共有4096个块，出厂的时候，保证好的块至少大于3996个，也就是意思是，你新买到这个型号的nand flash，最坏的可能，有3096－3996＝100个坏块。不过，事实上，现在出厂时的坏块，比较少，绝大多数，都是使用时间长了，在使用过程中出现的。 2.保证第一个块是好的，并且一般相对来说比较耐用。做此保证的主要原因是，很多Nand Flash坏块管理方法中，就是将第一个块，用来存储上面提到的BBT，否则，都是出错几率一样的块，那么也就不太好管理了，连放BBT的地方，都不好找了，^_^。 一般来说，不同型号的Nand Flash的数据手册中，也会提到，自己的这个nand flash，最多允许多少个坏块。就比如上面提到的，三星的K9G8G08U0M，最多有100个坏块。 对于坏块的标记，本质上，也只是对应的flash上的某些字节的数据是非0xFF而已，所以，只要是数据，就是可以读取和写入的。也就意味着，可以写入其他值，也就把这个坏块标记信息破坏了。对于出厂时的坏块，一般是不建议将标记好的信息擦除掉的。 uboot中有个命令是“nand scrub”就可以将块中所有的内容都擦除了，包括坏块标记，不论是出厂时的，还是后来使用过程中出现而新标记的。一般来说，不建议用这个。不过，我倒是经常用，其实也没啥大碍，呵呵。 最好用“nand erase”只擦除好的块，对于已经标记坏块的块，不擦除。 【nand Flash中页的访问顺序】 在一个块内，对每一个页进行编程的话，必须是顺序的，而不能是随机的。比如，一个块中有128个页，那么你只能先对page0编程，再对page1编程，。。。。，而不能随机的，比如先对page3，再page1，page2.，page0，page4，.。。。 【片选无关(CE don’t-care)技术】没明白什么意思？ 很多Nand flash支持一个叫做CE don’t-care的技术，字面意思就是，不关心是否片选， 那有人会问了，如果不片选，那还能对其操作吗？答案就是，这个技术，主要用在当时是不需要选中芯片却还可以继续操作的这些情况：在某些应用，比如录音，音频播放等应用中，外部使用的微秒（us）级的时钟周期，此处假设是比较少的2us，在进行读取一页或者对页编程时，是对Nand Flash操作，这样的串行（Serial Access）访问的周期都是20/30/50ns，都是纳秒（ns）级的，此处假设是50ns，当你已经发了对应的读或写的命令之后，接下来只是需要Nand Flash内部去自己操作，将数据读取或写入进去到内部的数据寄存器中而已，此处，如果可以把片选取消，CE#是低电平有效，取消片选就是拉高电平，这样会在下一个外部命令发送过来之前，即微秒量级的时间里面，即2us－50ns≈2us，这段时间的取消片选，可以降低很少的系统功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整体的功耗了。 总结起来简单解释就是：由于某些外部应用的频率比较低， 【读（read）操作过程详解】 以最简单的read操作为例，解释如何理解时序图，以及将时序图 中的要求，转化为代码。 解释时序图之前，让我们先要搞清楚，我们要做的事情：那就是，要从nand flash的某个页里面，读取我们要的数据。要实现此功能，会涉及到几部分的知识，至少很容易想到的就是：需要用到哪些命令，怎么发这些命令，怎么计算所需要的地址，怎么读取我们要的数据等等。 下面，就一步步的解释，需要做什么，以及如何去做： 1.需要使用何种命令 首先，是要了解，对于读取数据，要用什么命令。 下面是datasheet中的命令集合： 图5.Nand Flash K9K8G08U0A的命令集合 很容易看出，我们要读取数据，要用到Read命令，该命令需要2个周期，第一个周期发0x00，第二个周期发0x30。 2.发送命令前的准备工作以及时序图各个信号的具体含义 知道了用何命令后，再去了解如何发送这些命令。 [小常识] 在开始解释前，多罗嗦一下”使能”这个词，以便有些读者和我以前一样，在听这类虽然对于某些专业人士说是属于最基本的词汇了，但是对于初次接触，或者接触不多的人来说，听多了，容易被搞得一头雾水：使能（Enable），是指使其（某个信号）有效，使其生效的意思，“使其”“能够”怎么怎么样。。。。比如，上面图中的CLE线号，是高电平有效，如果此时将其设为高电平，我们就叫做，将CLE使能，也就是使其生效的意思。 图6.Nand Flash数据读取操作的时序图 注：此图来自三星的型号K9K8G08U0A的nand flash的数据手册(datasheet)。 我们来一起看看，我在图6中的特意标注的①边上的黄色竖线。 黄色竖线所处的时刻，是在发送读操作的第一个周期的命令0x00之前的那一刻。 让我们看看，在那一刻，其所穿过好几行都对应什么值，以及进一步理解，为何要那个值。 （1）黄色竖线穿过的第一行，是CLE。还记得前面介绍命令所存使能（CLE）那个引脚吧？CLE，将CLE置1，就说明你将要通过I/O复用端口发送进入Nand Flash的，是命令，而不是地址或者其他类型的数据。只有这样将CLE置1，使其有效，才能去通知了内部硬件逻辑，你接下来将收到的是命令，内部硬件逻辑，才会将受到的命令，放到命令寄存器中，才能实现后面正确的操作，否则，不去将CLE置1使其有效，硬件会无所适从，不知道你传入的到底是数据还是命令了。 （2）而第二行，是CE#，那一刻的值是0。这个道理很简单，你既然要向Nand Flash发命令，那么先要选中它，所以，要保证CE#为低电平，使其有效，也就是片选有效。 （3）第三行是WE#，意思是写使能。因为接下来是往nand Flash里面写命令，所以，要使得WE#有效，所以设为低电平。 （4）第四行，是ALE是低电平，而ALE是高电平有效，此时意思就是使其无效。而对应地，前面介绍的，使CLE有效，因为将要数据的是命令，而不是地址。如果在其他某些场合，比如接下来的要输入地址的时候，就要使其有效，而使CLE无效了。 （5）第五行，RE#，此时是高电平，无效。可以看到，知道后面第6阶段，才变成低电平，才有效，因为那时候，要发生读取命令，去读取数据。 （6）第六行，就是我们重点要介绍的，复用的输入输出I/O端口了，此刻，还没有输入数据，接下来，在不同的阶段，会输入或输出不同的数据/地址。 （7）第七行，R/B#,高电平，表示R（Ready）/就绪，因为到了后面的第5阶段，硬件内部，在第四阶段，接受了外界的读取命令后，把该页的数据一点点送到页寄存器中，这段时间，属于系统在忙着干活，属于忙的阶段，所以，R/B#才变成低，表示Busy忙的状态的。 介绍了时刻①的各个信号的值，以及为何是这个值之后，相信，后面的各个时刻，对应的不同信号的各个值，大家就会自己慢慢分析了，也就容易理解具体的操作顺序和原理了。 3.如何计算出，我们要传入的地址 在介绍具体读取数据的详细流程之前，还要做一件事，那就是，先要搞懂我们要访问的地址，以及这些地址，如何分解后，一点点传入进去，使得硬件能识别才行。 此处还是以K9K8G08U0A为例，此nand flash，一共有8192个块，每个块内有64页，每个页是2K+64 Bytes，假设，我们要访问其中的第7000个块中的第25页中的1208字节处的地址，此时，我们就要先把具体的地址算出来： 物理地址=块大小×块号+页大小×页号+页内地址=7000×128K+64×2K+1208=0x36B204B8（917636280）,接下来，我们就看看，怎么才能把这个实际的物理地址，转化为nand Flash所要求的格式。 在解释地址组成之前，先要来看看其datasheet中关于地址周期的介绍： 图7 Nand Flash的地址周期组成 结合图7和图5中的2，3阶段，我们可以看出，此nand flash地址周期共有5个，2个列(Column)周期，3个行（Row）周期。而对于对应地，我们可以看出，实际上，列地址A0~A10，就是页内地址，地址范围是从0到2047，而对于多出的A11，理论上可以表示2048～4095，但是实际上，我们最多也只用到了2048～2011，用于表示页内的oob区域，其大小是64字节。 对应地，A12～A30，称作页号，页的号码，可以定位到具体是哪一个页。而其中，A18～A30，表示对应的块号，即属于哪个块。 简单解释完了地址组成，那么就很容易分析上面例子中的地址了： 0x36B204B8 = 00110110 10110010 00000100 1011 1000，分别分配到5个地址周期就是： 36 B2 04 B8 00110110 10110010 0000 0100 1011 1000 A11-A8 A7-A0 A19-A12 A27-A20 A30-A28 1st周期，A7～A0 ：1011 1000=0x B8 2nd周期，A11～A8 ：0000 0100 = 0x04(这里的高四位的0不是原数据中的，而是硬件要求的) 3rd周期，A19～A12 ：0010 0000 = 0x20 4th周期，A27～A20 ：0110 1011 = 0x6B 5th周期，A30～A28 ：0000 0011 = 0x03 注意，与图7中对应的，*L，意思是地电平，由于未用到那些位，datasheet中强制要求设为0，所以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.其他的A30之后的位也是类似原理，都是0。 因此，接下来要介绍的，我们要访问第7000个块中的第25页中的1208字节处的话，所要传入的地址就是分5个周期，分别传入两个列地址的：0xB8，0x04，然后再传3个行地址的：0x20，0x6B，0x03，这样硬件才能识别。 4.读操作过程的解释 准备工作终于完了，下面就可以开始解释说明，对于读操作的，上面图中标出来的，1-6个阶段，具体是什么含义。 （1） 操作准备阶段：此处是读（Read）操作，所以，先发一个图5中读命令的第一个阶段的0x00,表示，让硬件先准备一下，接下来的操作是读。 （2） 发送两个周期的列地址。也就是页内地址，表示，我要从一个页的什么位置开始读取数据。 （3） 接下来再传入三个行地址。对应的也就是页号。 （4） 然后再发一个读操作的第二个周期的命令0x30。接下来，就是硬件内部自己的事情了。 （5） Nand Flash内部硬件逻辑，负责去按照你的要求，根据传入的地址，找到哪个块中的哪个页，然后把整个这一页的数据，都一点点搬运到页缓存中去。而在此期间，你所能做的事，也就只需要去读取状态寄存器，看看对应的位的值，也就是R/B#那一位，是1还是0，0的话，就表示，系统是busy，仍在”忙“（着读取数据），如果是1，就说系统活干完了，忙清了，已经把整个页的数据都搬运到页缓存里去了，你可以接下来读取你要的数据了。 对于这里。估计有人会问了，这一个页一共2048+64字节，如果我传入的页内地址，就像上面给的1208一类的值，只是想读取1028到2011这部分数据，而不是页开始的0地址整个页的数据，那么内部硬件却读取整个页的数据出来，岂不是很浪费吗？答案是，的确很浪费，效率看起来不高，但是实际就是这么做的，而且本身读取整个页的数据，相对时间并不长，而且读出来之后，内部数据指针会定位到你刚才所制定的1208的那个位置。 （6） 接下来，就是你“窃取“系统忙了半天之后的劳动成果的时候了，呵呵。通过先去Nand Flash的控制器中的数据寄存器中写入你要读取多少个字节(byte)/字(word)，然后就可以去Nand Flash的控制器的FIFO中，一点点读取你要的数据了。 至此，整个Nand Flash的读操作就完成了。 对于其他操作，可以根据我上面的分析，一点点自己去看datasheet，根据里面的时序图去分析具体的操作过程，然后对照代码，会更加清楚具体是如何实现的。 【Flash的类型】 Flash的类型主要分两种，nand flash和nor flash。 除了网上最流行的这个解释之外： NAND和NOR的比较 再多说几句： 1.nor的成本相对高，具体读写数据时候，不容易出错。总体上，比较适合应用于存储少量的代码。 2.Nand flash相对成本低。使用中数据读写容易出错，所以一般都需要有对应的软件或者硬件的数据校验算法，统称为ECC。由于相对来说，容量大，价格便宜，因此适合用来存储大量的数据。其在嵌入式系统中的作用，相当于PC上的硬盘，用于存储大量数据。 所以，一个常见的应用组合就是，用小容量的Nor Flash存储启动代码，比如uboot，系统启动后,初始化对应的硬件，包括SDRAM等，然后将Nand Flash上的Linux内核读取到内存中，做好该做的事情后，就跳转到SDRAM中去执行内核了，然后内核解压（如果是压缩内核的话，否则就直接运行了）后，开始运行，在Linux内核启动最后，去Nand Flash上，挂载根文件，比如jffs2，yaffs2等，挂载完成，运行初始化脚本，启动consle交互，才运行你通过console和内核交互。至此完成整个系统启动过程。 而Nor Flash就分别存放的是Uboot，Nand Flash存放的是Linux的内核镜像和根文件系统，以及余下的空间分成一个数据区。 Nor flash，有类似于dram之类的地址总线，因此可以直接和CPU相连，CPU可以直接通过地址总线对nor flash进行访问，而nand flash没有这类的总线，只有IO接口，只能通过IO接口发送命令和地址，对nand flash内部数据进行访问。相比之下，nor flash就像是并行访问，nand flash就是串行访问，所以相对来说，前者的速度更快些。 但是由于物理制程/制造方面的原因，导致nor和nand在一些具体操作方面的特性不同： One Flash NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内容的每一字节（有限的地址引脚是限制其容量的因素之一）。NAND Flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。为了弥补NAND Flash的不足，三星公司在NAND Flash芯片内集成了一个RAM接口，命名为OneNAND Flash，这类Flash拥有与NOR Flash相同的简单接口，而且不受地址引脚的限制，即容量与地址引脚无关。小结：从操作上来看OneNand比NOR,NAND的操作都要复杂，不过，OneNAND的读写性能相当出众，三星最新的OneNAND产品拥有高达108MBps的数据读取带宽，这已达到与NOR闪存相当的水准—这个速度也远远超过了现在的7200转桌面硬盘。相比之下，常规NAND闪存的读取性能只有区区17MBps，两者存在巨大的性能差异。其次，OneNAND的数据写入速度达到9.3MBps，虽然远远不如108MBps的读取速度，但相比NAND闪存的6.8MBps也已经有长足的进步了。与之形成鲜明对比的是，NOR闪存的写入速度只有可怜的0.14MBps，几乎称得上是慢如蜗牛。在数据擦除方面，OneNAND与NAND的指标相同，都达到64MBps，而NOR闪存更只有区区0.11MBps，与前两者完全无法相比。从性能角度来看，OneNAND无论读、写还是擦除都明显凌驾于NAND之上，NOR在写入/擦除方面的性能与之根本不具可比性，对嵌入式设备厂商来说，选择简单的OneNAND来代替NOR+NAND组合的方案是非常可行的。