华林科纳 湿法清洗中的金属杂质分离

 在超大规模集成生产中，实现低温加工和高选择性，使硅片表面超清洁至关重要。必须完全超净晶圆表面 无颗粒、有机材料、金属杂质、天然氧化物和表面粗糙度，以及吸附分子杂质。目前的干法过程，如反应离子蚀刻或离子注入，可导致高达10i2-1013 atom/em金属污染。除干法加工过程中引入的湿法工艺： 金属杂质变得越来越重要。文章全部详情:一三三三    伍捌零陆    肆叁叁叁 

硅片清洗的一般方法和金属杂质
—目前硅片清洗有五个目的:去除有机物中的氢硫、颗粒和金属杂质、颗粒和金属杂质HCI-H2O2-H2O清洗中的金属杂质，去除天然氧化物，去除超纯水冲洗中的清洗液。表一显示了硅晶片湿法清洗工艺。图2显示了硅晶片在每个湿法清洗过程中测量的金属浓度。显然，在每个过程步骤中.金属污染不会在突然发生。

 硅上金属杂质分离的评价方法 

硅晶片上液体中金属离子的沉淀被认为是基于以下两种机制。第一种机制是由金属离子与硅原子或硅表面氢原子之间的离子交换引起的沉淀。另一种沉淀机制是，随着硅表面的天然氧化物生长，金属离子被氧化并作为氧化物包含在氧化膜中。具体说明 略

用稀释的氟化氢溶液去除金属杂质 略
结论 略