转载---电子爱好者网2017-08-21 18:39

1.MOSFET开关管理的最大比例Dmax：

式中：Vor当输入为副边反射到原边的反射电压时AC 220V反射电压为135V；VminDC为整流后的最低直流电压； VDS为MOSFET通时D与功率管导S极间电压一般为10V。

2.变压器原绕组电流峰值IPK为：

式中：η变压器的转换效率；Po单位为输出额定功率W。

3.变压器原侧电感量LP为：

式中：Ts开关管的周期(s)；LP单位为H。

4.变压器的气隙lg为：

式中：Ae是磁芯的有效截面积(cm2)；△B磁芯工作磁感应强度的变化值(T)；Lp单位取H，IPK单位取A，lg单位为mm。

5.变压器磁芯

反激变换器的功率通常较小，一般选用铁氧体磁芯作为变压器磁芯，其功率容量AP为

式中：AQ磁芯窗口面积为单位cm2；Ae单位为磁芯的有效截面积cm2；Po是变压器的标称输出功率，单位为W；fs为开关管的 开关频率；Bm该单位是磁芯的最大磁感应强度T；δ对于线圈导线的电流密度，通常取200~300A/cm2，η是变压器的转换效率；Km为窗口填充系数， 一般为0.2~0.4；KC为磁芯的填充系数，铁氧体为1.0。

根据求得的AP选择余量稍大的磁芯，一般尽量选择窗长宽较大的磁芯，使磁芯窗有效使用系数较高，同时减少漏感。

6.变压器原边坡数NP

式中：△B磁芯工作磁感应强度的变化值(T)，Ae单位为cm2，Ts单位为s。

7.变压器副边匝数NS

式中：VD正变压器二次侧整流二极管导通的正压降。

8.选择功率开关管

开关管的最小电压应力UDS

一般选择DS间击穿电压应比(9)计算值稍大MOSFET功率管。

9.绕组铜耗PCU

通过绕组电阻值R的公式，可以找到原边绕组的电阻值。当原边绕组耗铜时，电流用原边峰值电流IPK计算；要求副边绕组耗时铜，输出电流用于电流Io来计算。

10.磁芯损耗

磁芯损耗取决于所选磁芯材料的工作频率、工作磁感应强度、电路工作状态和性能。对于双极性开关变压器，磁芯损耗PC：

式中：Pb在工作频率和工作磁感应强度下单位质量的磁芯损失(W/kg); Gc为磁芯质量(Kg)。

对于单极性开关变压器，由于磁芯约为双极性开关变压器的一半，因为磁芯工作在磁滞回线的区域工作。变压器的总损耗是铜消耗和磁芯损耗之和。

---end---