电源辐射整改 30MHZ-50MHZ的EMI辐射理论分析

1、电子产品：30MHZ-50MHZ的EMI辐射理论分析！ - 维科号

2.收集历史上最全开关的电源传导和辐射超标整改方案

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4、辐射30mhz超标波形_百度搜索

EMC已成为电子产品/设备可靠性的重要组成部分；将越来越受到重视！尤其是我们的工业&消费品要求满足相应的认证和出口要求，相应的国家政策不断完善；国际贸易的深化；EMC技术已成为电子产品/设备必须通过的硬性指标！随着电子产品/设备的供电系统开始大量使用高频开关电源，并且越来越高端；因此，对电源环境的要求越来越高；EMC越来越重要！

我们经常遇到电子产品/设备EMI的问题；我的讲座和我的微信官方账号都有分析EMI-方案及总结传导设计！看过我的文章和听过我课的电子设计师；给我反馈结果；目前遇到了EMI问题取决于你的EMI滤波器设计规则 确实解决了我们的问题EMI-传导问题；让很多人受益！以后我会对传导的滤波器技术进行更深入的分析！

电子产品/设备EMI-辐射问题；大多数设计师无法进入门槛！例如，30经常出现在我们的电子产品/设备中MHZ-50MHZ 特别是30MHZ左右的EMI-辐射问题；有时候还有！让我进行理论分析；我开关电源：EMC分析与设计

实战方法！

我的分析是基于我过去20年的开关电源产品设计和开发；如果没有这么多年的开关电源设计经验和EMI一般没有人仔细研究理解；如果30MHZ对于大多数设计来说，有很高的机会出现这。MHZ频率必须由装置寄生参数和电路谐振产生；即：f=1/(SQRT(2ЛLC))，若为谐波分量F=1/(ЛTr)机制出现的概率不会被关注！

先了解基本知识点：

EMI分析更多的是在频域分析，而不考虑信号的相位因素！而是考虑信号的范围和频率！

再来看一下EMI-周期信号频谱

A.如果30MHZ-50MHZ 噪声频谱是时钟或通信数据

其特点是频率高，脉宽窄；当上下沿变化时，基本相当于脉冲宽度。如果计算每个等距噪声差为14MHz，这说明有一个14MHz的Clock由信号引起，或在除频后有14MHz产生信号！

基本结论：

时钟的频谱可以看到以下等距噪声，即噪声的谐波！以下测试Data:

此时对于30MHZ-50MHZ，我们可以通过测试Data进行EMI-辐射的来源进行分析了；其处理方法 对时钟电路进行分析处理&RAM/CPU/MCU处理它的想法！

注意：

30MHZ未来，随着频率的增加，差模成分呈下降趋势；共模成分呈上升趋势！

B.如果30MHZ-50MHZ 是电子产品开关电源供电系统的噪声频谱

其特点是开关电源的工作频率是几十个KHZ到几百KHZ，脉宽要保证一定的宽度；当上下沿变化时，应注意其谐波频率范围。其特点是测试Data包络数据如下：

此时对于30MHZ-50MHZ，经验丰富的设计师知道它是由开关电源生成的EMI辐射问题；然后我们将理论分析这个频段的源机制！分析常用的电源架构！

1.开关电源基本电路结构1-FLY（反激供电系统）

FLY电路-12V/4A-分析说明

我将分析和计算上述基本电路结构= 30MHZ谐振参数理论计算&注意当前的开关MOS寄生电容参数！！我们可以通过下面的计算数据得到答案！

30MHZ谐振参数分析

FLY-1实际变压器参数测试：

测量变压器的泄漏感=5uH 左右

FLY-1了更高的性价比，1的方案设计使用6N60或7N65等MOS通用器件；

MOS-TK6A60D；MOS-DS

MOS-F7N65;MOS-DS

其特征的参数值参照曲线图如下：

开关MOS关断时；其VDS的电压在500V左右;其Coss也就几个PF左右！价值和选择MOS设备相关！

30MHZ-50MHZ谐振参数分析-A

30MHZ-50MHZ谐振参数分析-B

…请使用上述参数进行递推 同时检查使用的开关MOS电容参数曲线图！

分析上述谐振参数：

变压器电感设计具有一定感设计；

30MHZ相当于3-5uH的漏感 与 6-10PF开关管结电容谐振！

PCB电源MOS管道主环路设计；

30MHZ-50MHZ相当于20-30nH接线电感和开关管VDS的输出电容500PF-900PF的谐振!

2.开关电源基本电路结构2-PFC电路设计（BOOST架构）

BOOST-PFC电路>75W 功率等级

以上两个主要环路分析：

A. MOS管VT2开通时，L3&C5&VT2组成开关回路；注意它MOS-DS结电容和采样电路的谐振参数设计！

B. MOS管VT2关断时，VD1&C6&VT2组成续流回路；关注它MOS-DS结电容和续流电路的谐振参数设计！

让我们来看看我们的实际情况PFC电路板及布局布线设计！如下图所示：

让我们来看看高性价比。PFC系统：PFC-为了更高的性价比，2的方案设计>75W<200W电源系统使用9N50或10N60及以上等MOS通用器件

MOS-9N50；MOS-DS

MOS-10N60;MOS-DS

其特性的参数值参考其曲线图如下：

开关MOS关断时；其VDS的电压在400V左右;其Coss<200pF！其值跟选择的MOS器件有关联！

30MHZ-50MHZ的谐振参数分析-A

30MHZ-50MHZ的谐振参数分析-B

…请运用上面的参数进行递推 同时查看使用的开关MOS的电容参数曲线图！

通过上面的谐振参数的分析：

PCB环路的设计；

30MHZ-50MHZ相当于40-90nH的走线电感与开关管VDS的输出电容100PF-620PF的谐振!

3.开关电源基本电路结构3-LLC谐振电路设计（LLC软开关）

LLC与PFC电路>75W 功率等级 会共同存在；也有例外的应用！

我们来看看LLC的额定负载的工作波形：

DRV-驱动对应的电流 无振荡现象-软开关工作；进行ZVS零电压切换！

我们同样对LLC的MOS进行两个主环路分析（分析原理同上）;LLC的变压器及谐振参数其回路的磁场结构存在对称性；我们可以应用磁场的对消法则；我们发现LLC谐振开关变换的EMI干扰对比上面的两种结构其EMI干扰就比较小了；可以看出采用双端开关的软开关设计的EMI问题主要是MOS开关的上升沿和下降沿的谐波分量上；LLC在30MHZ-50MHZ的EMI辐射问题就变得简单！

由此可以得出：开关电源为什么/EMI-30MHZ到50MHZ前后超标几率高的问题！目前我们使用的开关MOS的寄生参数（器件选择）；开关管采样回路PCB走线的长度（1mm布线1mm走线近似1nH）都不知不觉的落到我们的谐振频率30MHZ-50MHZ的范围，并且是包络性超标；

总结：

我围绕EMI辐射的源头进行了理论分析；

《开关电源：EMC的分析与设计》我就讲实战方法！

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思考题：解决EMC问题！我们要了解三个问题？

1.信号（源）？ 2.结构设计？  3.地的连接？