如下图所示，实际MOS由于生产工艺、材料和包装的原因，设备不像书中介绍的那样，MOS器件的栅极（g）源极(s)漏极（d）三个电极之间会有寄生电容，从MOS制作出来的时候自带。这三个寄生电容分别命名为:Cgs、Cgd、Cds，具体值将在数据手册中注明。

以常用的7843为例，记录在其数据手册中。请注意，上述电容器的具体值是否直接标记在数据手册中，但输入电容器、输出电容器和逆导电容器表示，两者之间的关系如下：
输入电容（Input Capacitance）Ciss=Cgd Cgs
输出电容(Output Capacitance) CDSS=Cgd Cds
逆导电容( Reverse Transfer Capacitance） Crss＝Cgd

这款7843可以根据上述公式获得。Cgs=4200-770=3430pf,约等于3.5nf。

为了更好地了解以下模拟过程，还需要补充一点，即寄生电感。有关其介绍，请参考本文：寄生电感是如何产生的_寄生电感的原因是什么？

在了解了寄生电感和寄生电容器后，您可以开始模拟它们。这里只是为了解释现象和定性分析，所以参数设置不是很严格。作者选择的寄生电感值为100nH，寄生电容值为3.5nF，MOS选用NMOS，控制信号为1KHZ，占10%的空比PWM波形。

这种模拟旨在解释MOS控制的栅极串联小电阻R根据前面的分析，我们知道2的作用是实用的MOS寄生电感和寄生电容存在于电路中，等效后可得到下图所示的模拟电路。

加入栅极电阻后，可以发现形成了一个RLC根据基尔霍夫定律，在0初始条件下进行拉氏变换可以获得以下传输函数。

其中ωn无阻尼自然振荡角频率；ζ根据传输函数，由于电路固定，元于电路固定，元件也固定，因此ωn是固定的，ζ是可以随着电阻的增加而增加的。在自动控制原理对典型二阶系统的描述中可以知道，ζ系统输出在不同范围内会有不同的状态：

0<ζ<1.欠阻尼状态

ζ=1.临界阻尼状态

ζ>1: 过阻尼状态

最佳阻尼比为ζ=0.707。

栅极驱动的实际波形如下：

此时 ζ=0.021属于欠阻尼状态，超调量约50%，调整时间约580ns，有振铃现象。

可以发现，此时上升边缘会有超调量，超调量很大。如果管道的耐压值不够，很可能会因为超调量而损坏。

同样，下降沿位置也出现了超调，如果这个超调量过大，达到了MOS导通电压很可能会使MOS误导通发生在本该关闭的时间，用于使用MOSH桥和三相桥电路是致命的。如果误导时间长度超过设定的死区时间，上桥臂和下桥臂将同时出现，相当于直接短接电源部分的正负电源，一瞬间的电流足以照亮你MOS管。
因此，为了保护电路安全，必须尽量减少过度调量，消除栅极驱动的振铃。

栅极驱动的实际波形如下：

此时 ζ=0.4396仍处于欠阻尼状态，超调量约21%，调整时间约370ns。
上升沿：

下降沿：

此时ζ=0.707，为自动控制原理中的最佳阻尼比，这里只是单纯展示一下最佳阻尼比时系统输出的状态，需要强调的是此取值并不是实际系统中的最佳值。

此时上升边的超调量为5%，调整时间ts=180ns。

栅极驱动的实际波形如下：

此时 ζ=1.仍处于临界阻尼状态，超调量消失，振铃消失，调整时间约为153ns。

沿波形下降：

可以发现此时的电阻值已经满足了我们的期望，没有铃声，没有超调，那么继续增加电阻，使系统变成过阻尼状态，会有什么现象呢？

ζ=1.403，可以发现系统没有超调和振铃，但调整时间ts对我们来说，这也增加了MOS控制不好，上升时间越长，MOS处于半开半关状态的时间越长，MOS发烧会更严重，具体说明可以查看视频：
【让MOS烧的值得 振铃、杂散电感知识讲解-比利比利
没有公式 MOS米勒电容的流行解释-比利比利

除上述电阻外，在栅极驱动电路中R另外，很多方案都会添加反并联二极管，那么增加二极管的作用是什么呢？

模拟电路如下：

栅极驱动的实际波形如下：

上升沿(并联二极管):

上升沿(未并联二极管):

可以发现，增加二极管对上升沿没有影响。
沿波形下降(并联二极管):

下降沿波形（未并联二极管）：

观察下降边缘，可以发现下降边缘有反向电压，比没有并联二极管的电路更有利于MOS快速关闭可以进一步保护MOS。

除上述处理方法外，还可在栅极加入RC电路消除振铃和超调，详见本视频。【LC串联谐振的经典应用_mos为什么管道驱动电路要加一个小电阻？-比利比利】
MOS管道及其外围电路设计。

有关MOS本文记录了栅极驱动的介绍，如有不妥，欢迎批评指出。