下面是用或非门建造的SR锁存器
用CMOS门电路表示SR锁存器(需要一点模电知识来理解)

模电知识：带小圆圈MOS管是PMOS没有小圆圈的管道NMOS管；PMOS管和NMOS导通电压不同，PMOS当栅极接高电平(大于开启电压)时，PMOS导通，否则关闭；而且NMOS当栅极接低电平时，NMOS导通，否则关闭。
另外，我用Q非表示Q补，因为我打不出来。

接下来以CMOS对不同输入下的输出进行电路分析：

1. S=0，R=0。
   （1）看S对MOS管的影响：S＝０导致T1导通，T3关闭；
   （2）看R对MOS管的影响：R＝０导致T５导通，T７关闭；
   剩下的MOSQ和管状态Q非决定，Q的状态我们不知道，但我们可以假设Q＝１或者０；
   （3）假设Q＝１，此时T４导通，Q非连接到低电平（GND），Q非＝０，所以T根据前面的分析，T五是导通，所以T５和T6的通将Q连接到高电平，即Q=1，这与我们的假设一致；
   （4）假设Q＝０，此时T通过前面的分析，T一是导通，所以T１和T２的通路让Q非连接到高电平，即Q非＝１，由于Q非＝１，所以T８导通，Q到GND开通，Q连接到低电平，即Q=0，这与我们的假设一致；
   因此，S=0，R=0时，无论Q是1还是0，它都保持了原来的状态，这被称为保持。
2. S=0，R=1。
   （1）看S对MOS管的影响：S＝０导致T1导通，T3关闭；
   （2）看R对MOS管的影响：R＝1导致T５关闭，T７导通，T7的导通意味着打开Q到GND所以Q=0；
   （3）看Q对MOS管的影响：Q=0导致T2导通，T关闭，从前面的分析可以看出，T1是导通，所以Q不通过T1、T连接到2的通道VDD，Q非=1；
   (4)看Q不对MOS管的影响：Q非=1导致T6关闭，T8导通，而T导通意味着Q到GND路开了，所以Q=0(虽然只看(2)就知道结果，但这里的分析是为了验证一致性)；
   因此， S=0，R=1时，Q=0，Q非=1.这种状态被称为复位，信号R在英语中Reset缩写，复位。
3. S=1，R=0。
   (1)先看R对MOS管的影响：R＝0导致T５导通，T７关闭；
   （2）看S对MOS管的影响：S＝1导致T1关闭，T3导通，而T3的导通意味着打开Q不到GND所以Q不是=0；
   (3)看Q不对MOS管的影响：Q非=0导致T6导通，T从前面的分析可以看出，T5是导通，所以Q经过T5、T连接6的通道VDD，Q=1；
   （4）看Q对MOS管的影响：Q=1导致T2关闭，T4导通，而T4的导通意味着Q不到GND开通道，所以Q不是=0；
   因此， S=1，R=0时，Q=1，Q非=这种状态叫做0置位，信号S是英语Set缩写，位置的意思。
4. S=1，R=1。
   学过数电的人都知道SR锁定器不能出现 S=1，R=1的情况，但至于为什么不知道。
   （1）看S对MOS管的影响：S=1导致T1关闭，T3导通，而T3的导通意味着Q非连接GND，即Q非=0；
   （2）看R对MOS管的影响：R=1导致T5关闭，T7导通，而T7的导通意味着Q被连接到GND，即Q=0；
   (这个时候一定有人疑惑，Q和Q非都等于0，不是说两者互补，我们继续分析)
   (3)当前状态Q=Q非=0，而当S和R同时从1到0，T1和T从前面的分析可以知道，T2和T6是导通，导致Q和Q非都连接到VDD但电平，但Q和Q非也连接在GND低电平上，这就导致Q和Q我们不能确定它是0还是1，而不是同时充放电。