PE42553B-Z开关应用_DN3525N8-G N-场效应管 250V,PDF

PE42553B-Z 射频开关是 HaRP 各种开关应用设计的技术设备，包括无线基础设施、宽带和无线连接。 该设备提供广泛的开关 IC 产品组合的频率范围为 0Hz 至 60GHz，温度范围为 -55°C 至 125°C。 板载这些装置 CMOS 控制逻辑和低压 CMOS 通常不需要外部组件集成兼容控制接口。 Peregrine 的 HaRP 技术增强提供了高线性和优异的谐波性能。 UltraCMOS 该工艺的创新特性提供了优于 GaAs 性能和传统 CMOS 经济与集成。

电路：SPDT
频率范围：9kHz ~ 8GHz
隔离：45dB
插损：0.85dB
测试频率：3GHz
IIP3：66dBm
阻抗：50 欧姆
电压 - 供电：2.3V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 85°C
器件封装：16-QFN（3x3）

特征
产品组合广泛，频率范围广 0Hz 至 60GHz，温度范围为 -55°C 至 125°C
HaRP 高性能应用的理想选择是和插入损耗漂移，是高性能应用的理想选择
单片集成射频、模拟和数字功能 CMOS 解决方案
行业领先的射频性能，一流 ESD 额定值和可靠性

应用
无线基础设施
宽带
无线连接
测试和测量

DN3525 低阈值耗尽型(常开)晶体管采用先进的垂直 DMOS 硅栅极制造工艺的结构和的制造工艺。 该组合产生的设备具有双极晶体管的功率处理能力 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。 所有 MOS 该装置没有热失控和热引起的二次击穿。

特征
? 高输入阻抗
? 低输入电容
? 开关速度快
? 低导通电阻
? 无二次故障
? 低输入和输出泄漏

应用
常开开关
固态继电器
转换器
恒流源
电源电路
电信交换机

漏源电压（Vdss）：250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：360mA（Tj）
驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
不同 Id、Vgs 时导电阻(最大值):6 欧姆 @ 200mA，0V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):350 pF @ 25 V
FET 功能：耗尽模式
功耗(最大值).6W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面安装类型
器件封装：TO-243AA（SOT-89）

全新 PE42553B-Z 射频开关 ，DN3525N8-G MOS管N-CH 250V

注：本文的部分内容和图片来自网络，版权属于原作者。如有侵权行为，请联系删除！