内存芯片QLC、SLC、MLC、TLC

内容参考了https://www.reneelab.com.cn/difference-slc-mlc-tlc.html然后添加其他我认为有用的信息

NAND闪存：SSD存储数据的部分不易失性，即断电后仍能保存数据的内存块。

DDR内存：用于缓存未来访问的信息(需要电源来维护数据)。

主控芯片：连接NAND闪存和计算机之间的主要电子元件。

NAND闪存是一种比传统硬盘驱动器更好的存储设备，采用非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据的存储设备。

NAND闪存由多个以（bit）如何组织这些开关单元荷打开或关闭来组织这些开关单元存储的？SSD数据也决定了NAND闪存命名，如单层单元（SLC）闪存在每个存储单元中包含一个位置。基于性能和体积的优势，NAND闪存目前的发展方向是降低每个比特的存储成本，提高存储容量，因此有后四层单元（QLC），每个存储单元有4个bits的格式。但是，单元层数越多越好。，不同层次的单元NAND闪存有不同的特点

SLC:Single Level Cell

单层单元闪存俗称SLC，这种类型的闪存具有读写数据最准确、数据读写寿命最长的优点。

SLC擦拭寿命约为9万至10万次。由于其使用寿命、准确性和综合性能，这种类型的闪存在企业市场上非常受欢迎。但由于存储成本高，存储容量相对较小，在家庭市场不太受欢迎。

优点：

• 读写速度最快的NAND闪存芯片规格。
• 与其他类型的闪存相比，擦写寿命和读写周期最长。
• 读写错误的概率较小，可在跨度较大的温度范围内正常运行。

缺点：

• 市场上最贵的NAND闪存类型。
• 通常只有较小的容量。

建议使用对象：工业级负载，如服务器，需要大量读写。

MLC:Multi Level Cell

多层单元俗称MLC，它的名字来自它SLC在1位/单元的基础上，成为2位/单元。这样做的一个主要优点是大大降低了大容量存储闪存的成本，因为闪存被用作SSD其生产成本通常反映在核心SSD价格并最终转移给消费者。

对于消费类SSD，容量/价格比相对合理，MLC闪存是家用电脑的首选，虽然擦写寿命只有1万次左右，但对于家用水平来说已经足够了。

优点：

• 扩展的SSD容量，性价比合理。
• 比TLC闪存性能更稳定。

缺点：不如SLC闪存耐用可靠。

建议使用对象：经常使用计算机的用户或游戏玩家。

TLC:Triple Level Cell

TLC闪存是闪存生产中最低的规格，储存量达到3位/单元。虽然高存储密度实现了相对便宜的大容量格式，但其读写生命周期大大缩短，擦写寿命只有500~读写速度差的1000次，只适合普通消费者，不能达到工业标准。

优点：低生产成本开启了廉价大容量SSD市场。

缺点：? 与SLC、MLC相比，TLC存储单元的擦写寿命要短得多。 ? 理论上，读写速度与SLC、MLC相比最慢。

建议使用对象：对存储需求小的计算机用户，如只使用互联网、电子邮件等简单功能的互联网书籍和平板电脑。

QLC:Quad-level cells

QLC每个单元可以存储4个bit数据，跟TLC相比，QLC储存密度提高了33%。QLC不仅可以经历1000次编程或擦写循环(与TLC相当，甚至更好)，容量增加，成本更低。

优点：QLC总成本较低，存储时依靠较少的驱动器。QLC它还具有更多的容量和较高的存储密度，以获得更好的效益。

缺点：与SLC、MLC相比，QLC性能和写入寿命降低，但与TLC相当。

建议使用对象：比较适合把QLC SSD作为数据仓库的用户。如果您对数据存储有较大的需求，通常使用计算机（写入操作较少），或追求较低的价格，建议选择QLC。

3D NAND该技术可以将存储单元堆叠到最高32层。这样，单个MLC存储芯片可以增加最高32GB单个存储空间TLC存储芯片可增加48个GB。

Flash类型	SLC单层单元	MLC多层单元	TLC三层单元	QLC四层单元
擦写寿命	90,000-100,000	8,000-10,000	500-1000	1000
每个单元的位数	1	2	3	4
写入速度（星星越多表示写入速度越快）	★★★★★	★★★☆☆	★★☆☆☆	★★☆☆☆
耐久性(星星越多，耐久性越高)	★★★★★	★★★☆☆	★★☆☆☆	★★☆☆☆
价格(星星越少，价格越低)	★★★★★	★★★☆☆	★★☆☆☆	★☆☆☆☆
适合人群	工业/企业	普通消费者/游戏玩家	轻度消费者	用户数据存储量大

大多数SSD采用MLC和TLC，是目前比较流行的民用级硬盘；虽然SLC稳定性更好，但不如MLC和TLC普遍。而QLC这是一种新的闪存类型，目前已上架，价格相对适中