NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G 30V N-CH MOS管 晶体管

NTMFS4C024NT1G NTMFS4C029NT1G N-CH 30V MOS管 晶体管 中文规格pdf

1、MOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFN 场效应管

型号：NTMFS4C024NT1G

年份：新

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET(金属氧化物)

漏源电压（Vdss）：30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21.7A（Ta），78A（Tc）

驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 导通电阻(最大值)：2.8 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）：30 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1972 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散(最大值)：2.57W（Ta），33W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

包装供应商设备：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

2、MOSFET N-CH 30V 15A/46A 5DFN 场效应管

型号：NTMFS4C029NT1G

批次：新

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET(金属氧化物)

漏源电压（Vdss）：30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），46A（Tc）

驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 导通电阻(最大值)：5.88 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：18.6 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：987 pF @ 15 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.49W（Ta），23.6W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线