详细讲解MOSFET管驱动电路

详细讲解

MOSFET

管驱动电路

在使用

MOS

当管道设计开关电源或电机驱动电路时，大多数人会考虑

MOS

的导

通电阻、最大电压、最大电流等，

也有很多人只考虑这些因素。这种电路可能是可以的

工作，但不优秀，不允许作为正式的产品设计。

下面是我对

MOSFET

及

MOSFET

总结一下驱动电路基础，

参考一些资料，

非全部原创

MOS

介绍管道、特性、驱动和应用电路。

1

，

MOS

管道类型和结构

MOSFET

管是

FET

一个(另一个)

JFET

)

，可制成增强型或耗尽型，

P

沟道或

N

沟道共

4

但实际应用只有增强型

N

沟道

MOS

管和增强型

P

沟道

MOS

管，

所以通常提到

NMOS

，或者

PMOS

指的是这两种。

至于为什么不使用耗尽型，

MOS

管道，不建议刨根问底。

对于这两种增强型

MOS

管，

比较常用的是

NMOS

。原因是导电阻小，容易制造。

一般用于开关电源和电机驱动的应用

NMOS

。

下面的介绍大多是

NMOS

为主。

MOS

管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生

的。

寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路时更加麻烦，

但是没有办法避免，

后边

再详细介绍。

在

MOS

从管道原理图可以看出，漏极和源极之间有寄生二极管。这叫体二极管，在

驱动感性负载(如电机)

，这个二极管很重要。对了，体二极管只有单个

MOS

管

它存在于集成电路芯片中。

2

，

MOS

管导通特性

导通是指作为开关，相当于开关关闭。

NMOS

的特性，

Vgs

如果超过一定值，则导通，适用于源极接地（低端驱动）

，只

达到栅极电压

4V

或

10V

就可以了。

PMOS

的特性，

Vgs

如果小于一定值，就会导通，适合源极接

VCC

情况(高端驱动)

。

但是，虽然

PMOS

它可以很容易地用作高端驱动，但由于导电阻大，价格昂贵，替代品种少

因此，它通常用于高端驱动

NMOS

。

3

，

MOS

开关管损失

不管是

NMOS

还是

PMOS

，导通后存在导通电阻，使电流在此电阻上消耗能量

这部分消耗的能量称为导通损耗。选择导通电阻小的

MOS

管道会减少导通损失。