单片机：DS18B20温度传感器(内含芯片介绍+硬件设计+软件设计+配置环境)

DS18B20介绍

单总线温度传感器。特点：

1.工作电压相对较宽 3.0v---5.5v

2.接口简单(左上角除外)VCC,GND，只剩下一条数据线DQ)

3.工作范围 -55°~125°

4.9、10、11、12位可设置分辨率.对应温度误差为正负0.5,0.25，0.125，0.0625(默认)

5.理论上，VCC和GND反转后，只会发热，不会烧坏(注:理论上)

PCD板中，1脚为GND,2脚为DQ，3脚为VCC

TM选择测试位或使用位，出现时已设置，无法更改

R1 R0位一般选择最高精度，即 R1=1,R0=1

MS 前五位是符号位，后三位和LS8位为温度位

温度位*0.0625=实际温度

若为正数，则前五名为0万

如果是负数，前五名是11111(其他人按位取反 1）*0.0625

如 85° 数据输出0550h 对应0000 0101(=05) 0101 0000(=50)前五位(00000)为符号位，0550(16进制)=1360(十进制)=1360*0.0625=85°

-0.5° 数据输出FFF8h 对应1111 1111 1111 1000，先取反为0000 0000 0000 0111变成16进制为0x0007， 1得，0x0008,=0008*0.0625=-0.5°

相当于复位环节

数据读写过程都是低位的LSB--->高位MSB

480-960us,低电平，15-30us，拉高电平

电平降低后，60-240us，如果没有高电平，需要480us

注:黑色部分(前4000)us和后240us)灰色部分由单片机产生DS18B20输出响应信号

注:写时序的整个过程至少需要60个us，每个写作时序需要1us间隔，拉低总线作为开始标志

左边是0。写0时，主机降低电平，然后持续60us

右边是写1。写1时，主机降低电平，然后间隔2us,不变，然后拉高到高电平，持续60us

注：阅读时间序列的整个过程至少为60us,每个读时序至少需要1us

左图为读时序0，右图为读时序1，区别在于15us内部是否含有拉高电平(1)

注：复位环节=时序初始化，发命令=写0或1，读温度=读0或1

硬件部分

左侧为A2-A4版 右侧为A5-A7版

区别在于总线是否绑定IO口， A2-A4，绑定 A5-A7，未绑定

注：A2-A4的P37脚有上拉电阻，A5-A7也有上拉电阻，但重新设置BUS的上拉电阻目的是可独立使用该模块

软件部分

注意环境的配置：