IPT012N08N5 大电流300A 80V MOS管,PDF

英飞凌 OptiMOS5功率MOSFET在降低系统成本的同时，设计满足了提高系统效率的需要。MOSFET典型的应用包括计算领域的服务器、数据通信和客户端应用。它们也可用于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流以及电机控制、微型太阳能逆变器和快速开关直流/直流转换器应用。

其中80V和100V功率MOSFET专门设计用于电信和服务器电源的同步整流，也可用于太阳能、低压驱动和适配器等工业应用。
OptiMOS 5 80V和100V MOSFET提供七种不同包装的低包装RDS(on)。这款出色FOM最重要的贡献之一是Super SO-8封装中低至2.7mΩ导电阻，提供超高水平的功率密度和效率。

特征
优化同步整流
适用于高开关频率
输出电容增长44%
与上一代相比，RDS(on) 降幅高达43%
超高系统效率
减少开关和传导损耗
需要的并联较少
增加功率密度
5V低过冲电压

IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5 大电流MOSFET N-CH 80V 300A 场效应管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET(金属氧化物)
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导电阻(最大值):1.2 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 280μA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):223 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):170000 pF @ 40 V
FET 功能：-
375W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面安装类型
供应商设备包装：PG-HSOF-8-1
包装/外壳：8-PowerSFN

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