理光R5445系列 单节锂电池保护芯片，内置驱动器高位Nch FET开关温度保护

产品名称：单节锂电池保护芯片

产品系列：R5445（新款）

代理品牌：NISSHINBO日本理光微电子(日清纺织微电子)

产品封装：WLCSP-8-P4

交货时间：现货一般在同一天交货，预订电话细节

送货仓：深圳福田

热门标签：锂电池保护芯片、单节锂电池保护芯片、锂电池保护芯片

R5445 系列
高位使用单节锂电池保护芯片，内置驱动器Nch FET内置温度保护开关

R5445系列芯片是一节锂电池保护芯片，可保护过电压充电、欠电压放电、充电过电流、放电过电流和异常温度。该芯片可驱动外部高位Nch MOSFET该芯片对电压和电流的检测精度很高，可以防止0V电池再充电。

此外，本产品提供超低功耗Standby Mode，当电压低于电路最低值时，发现欠压放电Standby Mode, 此时，内部电路将停止工作。此外，使用CTL也可以强迫芯片进入端子Standby Mode。

项目	消费
输入电压	1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V)
元件数	1
电源电流	Typ. 5.0 μA
待机电流	Max. 0.04 μA
过充电检测电压	4.2 V to 4.6 V (0.005 V step)
过充电检测电压精度	±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C)
过充检测延迟时间	1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms
过放电检测电压	2.0 V to 3.4 V (0.005 V step)
过放电检测电压精度	±2.0%
过放电检测延迟时间	16 ms / 32 ms / 128 ms
放电过电流检测电压	0.015 V to 0.150 V (0.001 V step)
放电过电流检测电压精度	0.015 V to 0.030 V: ±3mV0.031 V to 0.050 V: ±10%0.051 V to 0.150 V: ±5mV
放电过电流检测延迟时间	32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms
充电过电流检测电压	?0.150 V to ?0.015 V (0.001 V step)
充电过电流检测电压精度	?0.150 V to ?0.041 V: ±8mV?0.040 V to ?0.021 V: ±20%?0.020 V to ?0.015 V: ±4mV
充电过电流检测延迟时间	8 ms
短路检测电压	0.040 V to 0.200 V (0.005V step)
短路检测电压精度	±5 mV
检测延迟时间短	280 μs
恢复过充条件	Latch
恢复过放电条件	Latch
封装	WLCSP-8-P4
0 V Battery Charging	Inhibition
Current Sense	Resistor / FET
Thermal Protection	Charge and Discharge Current

【说 明】

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