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建立模拟原理图

在Library Manager中新原理图

点击File----New-----Cell View

调出器件

连接并保存检查

仿真准备

建立ADE L 仿真

选择模拟文件

添加vds和vgs

mos输出特性曲线

添加输出端

不同栅源电压下的仿真曲线

mos管道输入特性曲线

设置dc

模拟曲线在不同漏源的情况下

查看mos管道参数

设置dc

仿真

查看mos管栅的区

查看mos其它管道参数

栅源电容随着栅源电压的曲线图

选择vgs变量

修改输出（Outputs）

编辑

gmid_idw的曲线图

修改dc与Outputs参数

编辑

在不同的沟通长度下gmid_idw的图像

修改mos管长度

设置扫描参数

开始仿真

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(详情请慢慢浏览，不足之处请提出建议，互相学习)

建立模拟原理图

在Library Manager中新原理图

点击File----New-----Cell View

选择自己放置的位置，随名字，选择原理图，点击ok。

调出器件

方法一:按快捷键 i，然后调出器件。

方法二:直接在界面上search搜索，输入名称，按下返回按钮，然后选择工艺库中的设备鼠标右击Add In stance,然后按下回车键。

所选设备：n mos2v vdd gnd vdc。(每个人的工艺库都不一样，nmos不需要修改参数)

 

 vdc中的DC voltage 一个为vds，一个为vgs。

连接并保存检查

快捷键w连线，然后点击保存并检查的按钮。

显示no errors说明原理图没有问题可以进行仿真 。

仿真准备

建立ADE L 仿真

点击Launch----ADE L

 选择仿真文件

因为我们是第一次仿真，我们需要选择对应的工艺库

点击Setup-----Modul Library

双击上面图片中第二个红框，点击...（Browse），选择自己工艺库的位置，然后点击models---spectre,最后选择工艺库对应后缀.scs的文件（根据自己的工艺库选择，有些是rf**.csc）。

 

 我们可以只选中我们需要仿真的这个工艺库即可。

然后在Section对应这一栏中对应方框选择 tt。

 添加vds和vgs

点击Variables----Copy From Cellview

将vds设置为1.8，vgs设置为0.9，目的是想让它们一开始就处于饱和的环境。

mos的输出特性曲线

解释：流过mos管电流id随着vds的变化趋势。

添加输出端

点击Outputs----To Be Plotted-----Select On Design,然后我们在原理图中点击mos管的漏极，出现一个椭圆形的圈说明点击添加成功了，然后按下ESC椭圆形的圈消失。

 我们右击输出，点击Edit可以查看它的信息。

然后我们点击绿色的仿真符号，开始仿真。

 仿真结果如下：

如果你的仿真波形没有出来，可以返回修改一下你的仿真库那一步的添加。

不同栅源电压下的仿真曲线

如果我们想要得到不同栅源电压下的仿真曲线趋势，我们需要进行参数扫描。

我们首先关闭仿真窗口，然后选择ADE L 菜单栏列表里的Tools----Paramtric Analysis,进入如下界面：

然后我们开始修改参数：

选择vgs,仿真范围0-1.8，设置为线性仿真，仿真步长为0.3 ，然后点击绿色的按钮开始仿真。

进度条加载完出结果：

接下来我们进行输入特性曲线的仿真。 

mos管的输入特性曲线

解释：流过mos管电流id随着vgs的变化趋势。

设置dc

先关闭仿真窗口，右击dc---Edit---将vds变为vgs----点击ok

然后我们点击绿色仿真按钮，得到仿真如下：

不同漏源情况下的仿真曲线

这里只显示了一条，接下来我们可以通过参数扫描的方式获取多条曲线；

 首先关闭仿真界面，然后点击Tools----Paramtric Analysis,然后设置参数，选择vgs,仿真范围0-1.8，设置为线性仿真，仿真步长为0.3 ，然后点击绿色的按钮开始仿真。

查看mos管的各项参数

设置dc

右击dc---Edit,取消勾选Design Variable

仿真 

直接点击绿色仿真按钮，然后回到原理图中，鼠标右击，选择Annotations----DC Operating Point,然后我们可以看到原理图中各项具体参数就显示出来了。

 查看mos管栅的区

继续在原理图中，鼠标右击----Annotations-----Set up,然后跳出一个窗口：

 在Cell中选择原理图中的管子类型，在空白DC Operating Point 后边双击选中region,然后点击Apply--ok---跳出的小窗口点击Apply .....-----ok,最后在原理图中就显示出来了。

据图得知：region=2，说明mos管处在饱和区。

查看mos管的其它参数

我们在ADE L 面板菜单栏中点击Result---Print-------DC Operating Point ,r然后点击一下原理图中的mos管，mos其它参数就罗列出来了。

栅源电容随着栅源电压的曲线图

选择vgs变量

关闭上面仿真窗口，在ADE L 中右击dc---Edit----勾选Design Variable----vgs

修改输出（Outputs）

 首先删除输出

在Outputs中鼠标右击----Edit，添加名称c，然后点击open，写栅源电容的表达式，在跳出的窗口中选择os，然后跳出了一个小窗口，我们需要在原理图中点击一下mos管，然后再小窗口清单中选择cgs，复制面板上的公式，关闭面板，将复制好的公式添加到c下面，点击OK。

最后Outputs里面栅源电容就显示出来了；然后点击绿色的仿真按钮跑仿真：

 

此图看着有点奇怪，我们编辑一下输出c，将公式前面添加一个负号，然后继续跑仿真：

此时图像好看多了。 

gmid_idw的曲线图

 修改dc与Outputs参数

关闭其他仿真窗口，右击dc---Edit--取消勾选Design Varibale---OK.

 仿真横坐标gmid,纵坐标idw的图像

删除输出中的c，右击鼠标---Edit----输入名称gmid_idw，然后开始编辑我们需要的公式。

点击open-----os---点击mos管一下------在小窗口清单中选择【gmoverid】----然后【CTRL + c】复制表达式，再点在下面Function Panel的搜索框中输入WA------选择waveVsWave

 点击后出现表达式，此时横坐标已经完成。

然后不要动，开始弄纵坐标，在清单list中选择电流id ，在表达式下面点击绿色按钮

 

然后就添加好了

w在小窗口里面找不到，我们需要将小窗口关闭，点击右上角Tools----Browser，此时弹出来一个窗口。

然后我们点击坐标【+】，然后点击【instance 】，然后点击【M0】，右拉出来的信息窗口，选择最后面那个w(m)=....，选中鼠标右击，选择【Calculator】

然后表达式出来了，然后我们点击表达式旁边的除号【/】，我们复制计算好的表达式，将表达式放置在y轴坐标那里。

点击下面的Apply，最后总表达式再上方出现了，我们将其复制，粘贴到对应名字下面，点击OK。

点击仿真绿色按钮跑仿真：

！！如果仿真没有显示出来，不要慌张，我们可以鼠标右击dc-----Edit---勾选Design variable ，然后再跑一遍。

我们可以采用对数显示图像，在纵坐标那里右击，勾选【Log Scale 】

不同沟道长度下gmid_idw的图像

修改mos管长度

在原理图中选中mos管，按下快捷键【q】，将mos管长度改为L，然后点击保存并检查的按钮。

然后再ADE L 中点击【Variables】----【Copy From Cellview】，将L设置为200n。

设置扫描参数

点击ADE L 菜单栏中的【Tools】---【Parametric Analysic】，然后设置如下参数：

开始仿真

点击绿色仿真按钮，开始仿真，采用对数显示：

至此，我们完成了仿真，浏览这么多，你辛苦了！