2.4G频段无线单发芯片SI24R2E技术相关问题解答

针对2.4G无线单发芯片的频段——SI24R2E，总结和回答开发过程中遇到的常见问题。

技术提问

Q1：虽说Si24R2E布局很简单，有没有提供建议参考，可以避免一些误解？

动能世纪A1：是的。芯片数据手册上有标准的参考原理图，我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》，避免客户在设计过程中的一些问题，减少后期调试改板等工作。

Q2看到了大部分Si24R2E在板上加一个1000块uf钽电容器的具体功能是什么？

动能世纪A2：因为Si24R2E主要用于低功耗有源标签应用，一般为纽扣电池供电，加100uf钽电容能有效稳定电源，保护电池延长电池寿命。

Q3：Si24R2E SPI 输入口必须强制10K电阻上拉，否则静态电流异常。如果是10K如果不增加上拉电阻，会有什么影响？

动能世纪A3：静态电流会更大。对芯片和芯片的烧录没有影响，但我们强烈建议加上这10个K上拉电阻主要是稳定性更好。

Q4：Si24R2E芯片是录芯片？可以插件吗？MCU控制？

动能世纪A4：正常是我公司提供的PC端芯片烧录上位机编程器下载程序，测试和量产非常方便。它还支持外部连接MCU控制。

Q5：Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款产品有什么区别？

动能世纪A5：三种芯片都是脱胎的Si24R1.主要区别在于不同的应用领域，因此功能不同。

Si24R2F兼容Si24R2E在这种情况下，增加了一些功能：

1.在自动发射模式下，最多支持4个不同信道轮询发射；

2.集成温度监测和报警功能(打开温度监测，每次发射数据都包含芯片工作环境温度数据)；

3.支持按键发射功能；

4.支持发射数据加密。

Si24R2H相比Si24R2E有几个很大的区别:

1.R2H功率要高于R2E。分别是12dBm和7dBm；

2.包装不同，分别是R2H QFN32和R2E QFN20；

3.R2H内置125K，R2E则没有；

4.跳频通道不同，R2H只支持4通道跳频，R2E只支持3通道跳频；

5.内置NVM寄存器烧写次数不同，R2H可烧写次数少于32次，R2E为128次；

6.R2H支持数据加密功能，R2E则不支持；

7.R2H支持内部温度测量，NTC温度测量，插件温湿度传感器。R2E则不支持。

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