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场效应管(FET)总结:

时间:2022-11-12 19:30:00 n2的三极管

目标:

结型、绝缘、绝缘格栅增强型和耗尽型的性质

由于Notion图片上传不好CSDN,请看我的详细笔记Notion:

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结型场效应管(JFET)

电流从N通道中行走的关键问题是电流有多大?

首先,它可以接受D和S电压控制之间

若$U_{DS}$增大,则$i_d$也会增大

第二,它可以$U_{GS}$的变化影响

$U_{GS}$可以使得N2.沟的宽度发生变化,影响$i_{d}$

简单地说,沟宽容易被夹断和打开

JFET为电压控制电流的装置,$i_D$受$u_{GS}$控制

补充:三极管是$I_c$控制$I_B$,即$I_C = \beta I_B$, 即电流控制电流的部件

这张图是N沟

注意观察图像:

左图:关于$U_{DS}$, 随着$U_{DS}$随着电流的增加,电流也在增加,但当电流达到一定程度时,电流会趋于恒定,如图所示。如果电压继续增加,电压就会突破JFET

右图:指输入电压与输出电流之间的关系

随着$U_{GS}$的增大,$i_{D}$在变小之前,可以推断沟道在变窄,直到$U_{GS}$增加到某值k,使电流为零,称为夹断电压$U_{GS(off)}$

注意:图中$U_{GS}$增加是指绝对值的增加

补充:当$U_{GS}$为0时,$i_d$ 由 $U_{DS}$ 完全负责

绝缘格栅场效应管(MOSFET)

增强型:

因为没有沟,我们需要在N区和N区之间建造一个沟。因此,我们需要使用它UGS(th),也就是说,打开电压来构建沟渠。UGS(th)不可取0,因为当它大于0时,它可以构建沟

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