三极管与mos管(场效应管)及可控硅区别

三极管与mos管(场效应管)与可控硅的区别

MOS管道的特点和工作原理与真空电子管相似：无电流，即无输入电流，具有高输入阻抗；泄漏电流由电压控制器控制……

两个半导体三极管P-N集电极电流由基极电流控制，是一种电流控制装置；基极输入电流，输入阻抗低，需要输入功率……

另：

1、现场效应管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。当只允许从信号源获得较小的电流时，应选择现场效应管；当信号电压较低时，只允许从信号源获得更多的电流。

2.场效应管采用多载流子导电，称为单极装置，晶体管采用多载流子和少载流子导电。它被称为双极装置。

3.部分场效应管的源极和漏极可交换使用，栅压也可正负，比晶体管更灵活。

4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

5.三极管导电阻大，场效管导电阻小，只有几百毫欧姆。

请参阅以上内容MOS管道的判断与测量

场效应管 VS 三极管

1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的功能相似。

2.场效应管是由电压控制的电流装置vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，场效应管放大能力差；三极管是由电流控制的电流装置iB(或iE)控制iC。

3.场效应管栅极几乎没有电流(ig?0)；而且基极在工作时总是需要吸收一定的电流。因此，场效应管的输入电阻高于三极管。

4.场效应管只有多子参与导电；三极管有两种载流子：多子和少子参与导电，少子浓度受温度、辐射等因素影响较大。因此，场效应管比晶体管具有更好的温度稳定性和更强的抗辐射能力。当环境条件（温度等）变化较大时，应选择场效应管。

5.当源极水与衬底连接时，源极和漏极可以交换，特性变化不大；当三极管的集电极和发射极交换时，其特性差异很大，b值会减少很多。

6.场效应管的噪声系数很小，场效应管应选用于低噪声放大电路的输入级和要求高信噪的电路。

7.场效应管和三极管可形成各种放大电路和开路电路。但由于前者制造工艺简单，功耗低，热稳定性好，工作电源电压范围广，广泛应用于大规模大型集成电路。

可控硅 VS (三极管 /场效应管)

可控硅是一种特殊的二极管，是可控硅整流元件的缩写。它有三个PN

四层结构的大功率半导体器件一般由两晶闸管反向连接而成.它的功能不仅是整流，还可以用作快速连接或切断电路的无触点开关，实现将直流电变成交流电的逆变，将一个频率的交流电变成另一个频率的交流电等。

可控硅二极管可使用两种不同的极性(P-N-P和N-P-N)模拟晶体管。当可控硅栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，电路基本没有电流过载电阻RL，当栅极输入正脉冲电压时BG2道通，使BG基极电位下降，BG所以开始道通，BG1的道通使得BG2基极电位进一步升高，BG1基极电位进一步下降，通过这个正反馈过程BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道路状态，即使栅极没有触发脉冲电路，由于正反馈，道路状态也会保持不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，因为BG1和BG2均处于反向偏置状态，因此如果负载电阻增加，电路将迅速停止RL阻值降低电路电流BG1和BG2的基电流也会减少。当电路减少到一定值时，由于电路的正反馈，电路将很快从道路状态转向截止状态，我们称之为维持电流。在实际应用中，我们可以通过开关短路可控硅的阳极和阴极，从而关闭可控硅。